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家用危险气体传感器设计（）选择材料SnO2敏感薄膜原因：随着工农业生产的迅速发展,半导体气体传感器发展日新月异.对有毒、有害气体的检测主要通过烧结工艺研制的以SnO2为基体的可燃气体传感器,由于工艺技术落后,元件的一致性不好,相比之下,薄膜气体传感器有其独特的优点,元件的功耗低、响应快、一致性好,与微电子平面工艺相容,有利于集成化、智能化传感器的发展。SnO2敏感薄膜主要有以下优点：（1）灵敏度高，出现最高灵敏度的温度较低，约在 300℃；（2）元件阻值变化与气体浓度成指数关系，在低浓度范围，这种变化十分明显，非常适用于对低浓度气体的检测；（3）对气体的检测是可逆的，而且吸附、解吸时间短；（4）气体检测不需复杂设备，待测气体可通过气敏元件电阻值的变化直接转化为信号，且阻值变化大，可用简单电路实现自动测量；（5）物理化学稳定性好，耐腐蚀，寿命长；（6）结构简单，成本低，可靠性高，耐振动和抗冲击性能好。工艺流程气敏元件结构硅基微结构气敏元件结构及各层厚度示意图如图2-1所示。敏感材料为掺1.5at.%PdCl2的SnO2薄膜，薄膜厚度约为300 nm。每个元件的面积约为3 mm x 4 mm。图2-1 硅基传感器各层结构及厚度传感器制作流程清洗硅片由于买来的双面抛光的硅片上面有有机站污、固体颗粒和金属氧化物。所以首先用1号清洗液清洗，一号清洗由水、氨水和双氧水组成。把硅片放入按一定比例配置好的清洗液中，加热至沸腾，取下，用去离子水冲洗。然后把硅片放入2号清洗液中，2号清洗液由水、盐酸和双氧水按一定比例配制。把硅片放入按一定比例配置好的清洗液中，加热至沸腾，取下，用去离子水冲洗。用压缩空气气枪吹去表面水分，放入120℃的烘箱内烘干。氧化硅片在试验中硅片的氧化采用的是湿法氧化，温度在1180℃左右。氧化速率约为700-800 nm/h。一般采用氧化3-4 h即可满足后续工艺的要求。涂覆光刻胶光刻胶又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。它是一种对光敏感的高分子化合物，它在光照后，会发生交联、分解或聚合等光化学反应，使涂覆在器件表面的光刻胶改变性质。光刻光刻是生产半导体元件时的一个工业步骤，该步骤将印在光刻掩膜上的外形结构转移到基质的表面上。光刻与印刷术中的平版印刷的工艺过程类似。显影此次光刻采用的是BP212这种光刻胶，它的显影液为5%的NaOH溶液，显影时间大概为40 s。然后用大量去离子水反复冲洗，用压缩空气气枪吹去表面水分，在滤过紫外光的显微镜下观察显影是否干净。如不干净，需要放在NaOH溶液再次显影，需要注意的是显影时间过长会导致光刻胶起胶。腐蚀SiO2薄膜腐蚀Si02薄膜有湿法腐蚀和干法腐蚀两种。湿法腐蚀工艺比较复杂，需要用光刻胶进行背面保护。千法腐蚀工艺简单，但成本比较高。腐蚀硅杯腐蚀硅杯也有干法腐蚀和湿法腐蚀两种方法，正两种方法都是用Si02薄膜作为掩蔽层。干法腐蚀边缘整齐，平面平整，速率快，但是价格比较贵。湿法腐蚀工艺简单，成本低。涂覆光刻胶由十加热电极线条细，为了保证光刻效果，采用AZ701正性光刻胶。AZ701应用在细线条的光刻中么，剥离效果要比BP212好，但是保护效果没有BP212好。AZ701转数为2400 rad/min，要比BP212薄些。光刻加热电极用加热电极掩模板光刻出加热电极图形。显影AZ701显影液是日本进口的己经配制好的显影液。溅射Pt由于Pt和SiO2薄膜的结合力不好，所以需要先溅射一层Ti作为过渡层。Ti溅射50 nm, Pt溅射100 nm 。剥离先丙酮浸泡至图形以外Pt都剥落。然后用乙醇浸泡，去除表面丙酮。最后用大量去离子水比冲洗。涂覆光刻胶采用BP212正性光刻胶即可。光刻焊点掩蔽图形光刻出PECVD时焊点掩蔽加热电极焊点的图形。在PECVD后直接把焊点上的SiO2薄膜剥离即可。显影显影液为5%的NaOH溶液，显影时间大概为40 s。PECVD二氧化硅薄膜用PECVD的方法制作大概1μm SiO2薄膜，需要2次PECVD基本可以达到所需的薄膜厚度和致密度。剥离把焊点上的Si02薄膜剥离，保证焊点与引线接触良好。涂覆光刻胶测试电极与加热电极相同，线条细，所以采用AZ701正性光刻胶，工艺参数与加热电相同。光刻测试电极用测试电极掩模板光刻出测试电极图形。显影与步骤10相同。溅射Pt与步骤11相同。剥离与步骤12相同。涂覆Sn02薄膜用匀胶机把胶体均匀涂覆在制作完成的衬底上。涂覆光刻胶采用BP212正性光刻胶保护测试电极上的Sn02薄膜。光刻Sn02薄膜保护窗口用掩模板光刻出Sn02薄膜保护窗口。显影与步骤10相同。腐蚀Sn02薄膜用HF, HCl和Ti配制的腐蚀液腐蚀焊点上的Sn02薄膜，测试电极上的SnO2薄膜用光刻胶保护。腐蚀完毕后，先用丙酮溶解