第三章载流子的输运.ppt

第四章半导体的导电性 4.2 载流子的散射 载流子散射的概念: 没有外场的作用，载流子作无规则的热运动。载流子在半导体中运动时，不断地与热振动的晶格原子或电离的杂质离子发生碰撞，碰撞后载流子的运动速度的大小和方向发生了改变。用波的概念，就是说电子波在半导体中传播时遭到了散射。 在连续两次散射间自由运动的平均路程叫做平均自由程，平均时间称为平均自由时间。 散射几率：单位时间一个电子受到散射的次数。 当有外电场时，一方面载流子沿电场方向定向运动，另一方面，载流子仍不断地遭到散射，使载流子的运动方向不断地改变。在外电场力和散射的双重作用下，载流子以一定的平均速度沿力的方向漂移，形成了电流，而且在恒定电场作用下，电流密度是恒定的。 格波与声子 在固体物理中，把晶格振动看作格波，格波分为升学波（频率低）和光学波（频率高）。 频率为va的格波，它的能量只能是量子化的，把格波的能量子称为声子。 电子或空穴被晶格散射，就是电子和声子的碰撞，且在这个相互作用的过程中遵守能量守恒和准动量守恒定律。 * * 4.1载流子的漂移运动 迁移率 载流子的漂移运动：载流子在电场作用下的运动 漂移电流 漂移电流密度 引 入 迁 移 率 的 概 念 迁移率? 单位电场作用下载流子获得平均速度 反映了载流子在电场作用下输运能力 导电的电子是在导带中，他们是脱离了共价键可以在半导体中自由运动的电子；而导电的空穴是在价带中，空穴电流实际上是代表了共价键上的在价键间运动时所产生的电流，所以在相同电场作用下，电子和空穴的迁移率不同。 欧姆定律 电导率 电阻率 n型半导体 P型半导体 本征半导体 电阻率与载流子浓度与迁移率有关，二者均与杂质浓度和温度有关。 影响迁移率的因素： 有效质量 平均自由时间（散射〕 体现在：温度和 掺杂浓度 半导体中载流子的散射机制： 晶格散射：声学波散射 光学波散射 电离杂质散射 电阻率与杂质浓度的关系 室温下载流子迁移率与掺杂浓度的函数关系 硅 锗和砷化镓 迁移率与温度的关系 室温下，电阻率与杂质浓度的关系 室温下，电阻率与杂质浓度的关系 扩散电流 电子扩散电流： 空穴扩散电流： 爱因斯坦关系: 5.6载流子的扩散运动 过剩载流子的扩散和复合 过剩载流子的复合机制： 直接复合、间接复合、 表面复合、俄歇复合 过剩载流子的扩散过程 扩散长度Ln和Lp: L=(D?)1/2 描述半导体器件工作的基本方程 泊松方程 高斯定律 描述半导体中静电势的变化规律 静电势由本征费米能级Ei的变化决定 能带向下弯， 静电势增加 方程的形式1 电荷密度 ?(x) 可动的 －载流子（n,p) 固定的 －电离的施主、受主 方程的形式2 *