第二章 载流子模型.ppt

第二章 载流子模型 2.1 量子化概念 2.2 半导体模型 2.3 载流子的特性 2.4状态和载流子分布 2.5平衡载流子的浓度 2.1 量子化概念 2.2半导体模型 1 共价键模型 2 能带模型 3 半导体中的载流子 4 绝缘体、半导体、导体的分类 2.2半导体模型 能带形成的定量化关系 1.6硅、锗的能带结构 用价键模型和能带模型解释载流子 没有断裂的键，半导体内无自由运动 的电子和空穴 在能带模型中，价带被完全填满， 导带空的。 价键断裂：价电子?自由电子 能带模型：电子从价带激发到导带 价键少了电子，产生一个空位 能带模型：价带中产生一个空穴 2.3 载流子的特性 1 有效质量 2 本征半导体内的载流子 3 掺杂半导体 例题 在室温下： Si: ni=1?1010/cm3 Ge: ni=2 ?1013/cm3 GaAs: ni=2 ?1016/cm3 3 掺杂半导体 (1) 替位式杂质 间隙式杂质 杂质原子进入半导体硅后，只可能以两种方式存在。一种方式是杂质原子位于晶格原子间的间隙位置，常称为间隙式杂质；另一种方式是杂质原子取代晶格原子而位于晶格格点处，常称为替位式杂质。 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.1 替位式杂质 间隙式杂质 半径小的杂质原子一般是间隙式杂质，如锂 杂质原子的大小与晶格原子的大小较接近，价电子壳层结构比较接近，形成替位式杂质，如Ⅲ、Ⅴ族元素在硅、锗晶体中都是替位式杂质。 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.1 替位式杂质 间隙式杂质 半径小的杂质原子一般是间隙式杂质，如锂 杂质原子的大小与晶格原子的大小较接近，价电子壳层结构比较接近，形成替位式杂质，如Ⅲ、Ⅴ族元素在硅、锗晶体中都是替位式杂质。 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.2 施主杂质、施主能级 Ⅴ族元素占据了硅原子的位置： Ⅴ族元素有5个价电子，其中的四个价电子与周围的四个硅原子形成共价键，还剩余一个电子，同时Ⅴ族原子所在处也多余一个正电荷，称为正离子中心，所以，一个Ⅴ族原子取代一个硅原子，其效果是形成一个正电中心和一个多余的电子。 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.2 施主杂质、施主能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.2 施主杂质、施主能级 多余的电子束缚在正电中心，但这种束缚很弱 很小的能量就可使电子摆脱束缚，成为在晶格中导电的自由电子，而Ⅴ族原子形成一个不能移动的正电中心。 硅、锗中的Ⅴ族杂质，能够施放电子而在导带中产生电子并形成正电中心，称为施主杂质或N型杂质，掺有 N型杂质的半导体叫N型半导体。施主杂质未电离时是中性的，电离后成为正电中心。 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级ED。 施主能级位于离导带低很近的禁带中 杂质原子间的相互作用可忽略，某一种杂质的施主能级是一些具有相同能量的孤立能级。 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 表2-1 硅、锗晶体中Ⅴ族杂质的电离能(eV) 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.3 受主杂质 受主能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.3受主杂质、受主能级 空穴束缚在Ⅲ族原子附近，但这种束缚很弱 很小的能量就可使空穴摆脱束缚，成为在晶格中自由运动的 导电空穴，而Ⅲ族原子形成一个不能移动的负电中心。 硅、锗中的Ⅲ族杂质，能够接受电子而在价带中产生空穴， 并形成负电中心，称为受主杂质或P型杂质，掺有 P型杂质 的半导体叫P型半导体。受主杂质未电离时是中性的，电离 后成为负电中心。 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级EA。 施主能级位于离价带顶很近的禁带中 杂质原子间的相互作用可忽略，某一种杂质的受主能级是一些具有相同能量的孤立能级。 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 表2-1 硅、锗晶体中Ⅲ族杂质的电离能(eV) 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.5 杂质的补偿作用 当半导体中同时存在施主和受主杂质时，半导体是n型还是p型呢？ 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 1、当 NDNA, 2.4 状态密度和载流子分布 1 态密度 2 费米分布函数 1、状态密度 状态密度的计算 空穴 简并半导体和非简并半导体 2.5 平衡载流子浓度 1 n型和p型的公式 2 n型和p型表达式的变换 3 载流子浓度的乘积