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第六章 载流子的产生与复合

第6章 非平衡过剩载流子 非平衡状态,载流子的产生与复合 连续性方程 双极输运 准费米能级 *过剩载流子的寿命 *表面效应 本章讨论非平衡状态下,半导体中载流子的产生、复合以及它们的运动规律。 许多重要的半导体效应都是和非平衡态密切相关的,许多器件就是利用非平衡载流子工作的, 这些器件在不工作时,内部处于热平衡状态; 工作时,就要打破平衡,产生非平衡载流子, 例如PN 结、晶体管等皆是如此; 所以,我们要研究非平衡载流子的性质,了解它在电场下的运动特点,帮助深入了解材料的电学性质从而把握器件的工作原理。 §6.1载流子的产生与复合 产生:电子和空穴的生成过程 复合:电子和空穴消失的过程 热平衡:产生过程与复合过程动态平衡 6.1.1平衡状态半导体 如前所述,实际晶体中存在着杂质和缺陷,而且晶格原子也在不停地进行热振动,这样,对晶体中运动着的电子产生了散射作用,这种散射的频率非常频繁,大约每秒发生1012 ~1013 次。 频繁的散射,使得电子在晶体能带的各个电子态之间不停地跃迁。但是大量的电子在宏观上却表现出了一定的规律性,费米一狄拉克分布描述了这种规律性。 电子-空穴对的带间产生与复合 在一定温度下,处于热平衡状态下的半导体,电子-空穴对的产生和复合保持一种动态平衡,使得导带中电子数目、价带空穴数目保持不变。 这里,无论是导带电子还是价带空穴,都是借助于热激发产生的,就是说杂质电离或本征激发所需的能量都是来自热运动的能量,这种载流子我们称为平衡载流子,用n0、p0表示。 6.1.2 非平衡载流子 然而,除去热激发以外,我们尚可借助于其它方法产生载流子,从而使得电子和空穴浓度偏离热平衡时的载流子浓度n0、p0,我们称此时的载流子为非平衡载流子,用n和p表示,多于平衡值的那部分载流子称为过剩载流子δn和δp 基本方程 G:电子一空穴对的产生率,单位时间,单位体积内激发产生的导带电子和价带空穴数。 R:电子一空穴对的复合率,单位时间,单位体积内复合消失的导带电子和价带空穴数。 在一块载流子均匀分布的半导体中,载流子数目随时间的变化率为: 产生率:与导带中的空状态密度以及价带中相应的占据状态密度有关; 复合率:与导带中的占据状态密度(电子)以及价带中的空状态密度(空穴)有关; 以光注入非平衡载流子为例 t<0时,无光照,处于热平衡,此时 t=0时,开始光照,产生附加的产生率δG(受激吸收),此时 t>0时,由于由于G > R,故载流子浓度提高n↑、p ↑ ,由此将引起复合率R 的上升。 t=t1时,光照撤除,附加产生率δG消失,此时, t>t1时,由于G < R,故载流子浓度n↓、p ↓,由此将引起复合率R的下降。此间,载流子浓度变化规律满足: 讨论: Generation and recombination mechanisms Band-to-band G&R, b) Auger generation and recombination, involving a third carrier c) Trap-assisted generation and recombination d) Other generation mechanisms Notes: recombination from 3 paths : direct recombination indirect recombination (including bulk recombination and surface recombination) Auger recombination 影响载流子寿命的产生与复合机制 通过产生-复合中心的间接产生与复合过程: * 半导体物理学 导带和价带之间的跃迁如下: 一方面,不断地有价电子跃迁到导带,形成导带电子,同时形成价带空穴;—— 称为电子一空穴对的产生 另一方面,也不断地有导带电子落回到价带的空位上,使得导带中电子数减少一个,价带中空穴数减少一个;—— 称为电子一空穴对的复合 热平衡状态的特征: 产生非平衡载流子的方法可以是电注入(如PN 结)、光注入(如光探测器)等。 Excess electrons and excess holes E 0 显然,复合率和电子以及空穴的浓度有关 对于产生率来讲,由于导带中几乎全部是空状态;对于本征材料(Si),ni/Nv~0.0000000005;相应的价带,则几乎是全满的,因而小的电子和空穴浓度几乎不影响和产生率有关的占据几率。 光照 hv>Eg Eg hv δn δp Ec Ev 一块载流子均匀分布的半导体: 在t < 0时,处于热平衡态; 在t =

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