第六章 载流子的产生与复合.ppt

第6章 非平衡过剩载流子 非平衡状态，载流子的产生与复合 连续性方程 双极输运 准费米能级 *过剩载流子的寿命 *表面效应 本章讨论非平衡状态下,半导体中载流子的产生、复合以及它们的运动规律。 许多重要的半导体效应都是和非平衡态密切相关的,许多器件就是利用非平衡载流子工作的, 这些器件在不工作时,内部处于热平衡状态； 工作时,就要打破平衡,产生非平衡载流子, 例如PN 结、晶体管等皆是如此; 所以,我们要研究非平衡载流子的性质,了解它在电场下的运动特点,帮助深入了解材料的电学性质从而把握器件的工作原理。 §6.1载流子的产生与复合 产生：电子和空穴的生成过程 复合：电子和空穴消失的过程 热平衡：产生过程与复合过程动态平衡 6.1.1平衡状态半导体 如前所述，实际晶体中存在着杂质和缺陷，而且晶格原子也在不停地进行热振动，这样，对晶体中运动着的电子产生了散射作用，这种散射的频率非常频繁，大约每秒发生1012 ~1013 次。 频繁的散射，使得电子在晶体能带的各个电子态之间不停地跃迁。但是大量的电子在宏观上却表现出了一定的规律性，费米一狄拉克分布描述了这种规律性。 电子-空穴对的带间产生与复合 在一定温度下，处于热平衡状态下的半导体，电子-空穴对的产生和复合保持一种动态平衡，使得导带中电子数目、价带空穴数目保持不变。 这里，无论是导带电子还是价带空穴，都是借助于热激发产生的，就是说杂质电离或本征激发所需的能量都是来自热运动的能量，这种载流子我们称为平衡载流子，用n0、p0表示。 6.1.2 非平衡载流子 然而，除去热激发以外，我们尚可借助于其它方法产生载流子，从而使得电子和空穴浓度偏离热平衡时的载流子浓度n0、p0，我们称此时的载流子为非平衡载流子，用n和p表示，多于平衡值的那部分载流子称为过剩载流子δn和δp 基本方程 G：电子一空穴对的产生率，单位时间，单位体积内激发产生的导带电子和价带空穴数。 R：电子一空穴对的复合率，单位时间，单位体积内复合消失的导带电子和价带空穴数。 在一块载流子均匀分布的半导体中，载流子数目随时间的变化率为： 产生率：与导带中的空状态密度以及价带中相应的占据状态密度有关； 复合率：与导带中的占据状态密度（电子）以及价带中的空状态密度（空穴）有关； 以光注入非平衡载流子为例 t0时，无光照，处于热平衡，此时 t=0时，开始光照，产生附加的产生率δG（受激吸收），此时 t0时，由于由于G R，故载流子浓度提高n↑、p ↑ ，由此将引起复合率R 的上升。 t=t1时，光照撤除，附加产生率δG消失，此时， tt1时，由于G R，故载流子浓度n↓、p ↓，由此将引起复合率R的下降。此间，载流子浓度变化规律满足： 讨论： Generation and recombination mechanisms Band-to-band GR, b) Auger generation and recombination, involving a third carrier c) Trap-assisted generation and recombination d) Other generation mechanisms Notes: recombination from 3 paths : direct recombination indirect recombination (including bulk recombination and surface recombination) Auger recombination 影响载流子寿命的产生与复合机制 通过产生－复合中心的间接产生与复合过程： * 半导体物理学 导带和价带之间的跃迁如下： 一方面，不断地有价电子跃迁到导带，形成导带电子，同时形成价带空穴；—— 称为电子一空穴对的产生 另一方面，也不断地有导带电子落回到价带的空位上，使得导带中电子数减少一个，价带中空穴数减少一个；—— 称为电子一空穴对的复合 热平衡状态的特征： 产生非平衡载流子的方法可以是电注入（如PN 结）、光注入（如光探测器）等。 Excess electrons and excess holes E 0 显然，复合率和电子以及空穴的浓度有关 对于产生率来讲，由于导带中几乎全部是空状态；对于本征材料（Si），ni/Nv~0.0000000005；相应的价带，则几乎是全满的，因而小的电子和空穴浓度几乎不影响和产生率有关的占据几率。 光照 hvEg Eg hv δn δp Ec Ev 一块载流子均匀分布的半导体： 在t 0时，处于热平衡态； 在t = 0时，开始进行光