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第五章 光伏探测器 光电子技术 一、 光伏效应定义 光子照射PN结产生了电压（光生电动势），当两端短接时会产生短路电流。 （内光电效应， photovoltage PV） 光伏效应是基于p－S、 n－S两种材料相接触时形成的内建势垒 光照p区（p区极薄），当光波长 激发光生电子——空穴对 光生电子向p区体内扩散，p区极薄小于电子扩散长度Ln， 内建电场将光生电子扫向n区，空穴留在p区， 此时，pn结两端有电压，称为开路电压uoc。 当将p区n区用导线短接，电流表读数不为零；此电流称为短路电流isc。 光生伏特效应 由上面分析可以看出，为使半导体光电器件能产生光生电动势（或光生积累电荷），它们应该满足以下两个条件： 只有光子能量h?大于材料禁带宽度Eg 的入射光才能激发出电子空穴对，使材料产生光生伏特效应的现象 具有光伏结构,即有一个内建电场所对应的势垒区。势垒区的重要作用是分离了两种不同电荷的光生非平衡载流子,在p区内积累了非平衡空穴,而在n区内积累起非平衡电子。产生了一个与平衡pn结内建电场相反的光生电场,于是在p区和n区建立起了光生电动势(或称光生电压)。 §5-2 光伏探测器的工作原理 一、光电转换原理 光生伏特效应指光照使PN结产生电位差的现象。 PN结光电效应 光照激发，电一空对 电一空对在E内作以下分离 产生光电流，由光电转换定律 产生开路电压 光伏探测器内电流增益G等于1，这与光电导探测器明显不同。 三、光伏探测器的等效电路 pn结光伏探测器的工作模式外电路的偏置电压来决定 零偏压V=0，光伏工作模式 外加反偏压V≠0，光导工作模式 §5-2 光伏探测器的性能参数 二、噪声 三、比探测率 四、光谱特性 五、频率响应及响应时间 光伏探测器的响应时间主要由扩散时间τn、光生少数载流子在耗尽层中的漂移时间τd和由结电容Cd与负载电阻RL所决定的电路延迟时间τc 六、温度特性 §5-3 光电池 一、硅光电池的类型和结构 1.硅光电池的类型 2.硅光电池的类型 2CR N型硅为衬底，P型硅为受光面，受光面上的电极称为前极或上电极，为了减少遮光，前极多作成梳状。衬底方面的电极称为后极或下电极。为了减少反射光，增加透射光，一般都在受光面上涂有SiO2或MgF2，Si3N4，SiO2－MgF2等材料的防反射膜，同时也可以起到防潮，防腐蚀的保护作用。 2DR P型硅为衬底，N型硅为受光面。 二、光电池的等效电路和电流电压方程 1、等效电路 2、电流电压方程 pn结短路， , u=0， 输出电流为 ,电流为短路电流 四、最大输出功率及最佳负载电阻 输出功率 对应的最佳负载电阻 实际光照下的开路电压计算（开路电压的换算） 根据手册中的光电池在特定光照度下的开路电压值，求出实际照度下的开路电压值 §5-4 光电二极管 结区面积 大 小 光电特性 非线性 线性 偏置状态 零偏压 反偏压 内建电场 弱 强 结区厚度 薄 厚 结电容 大 小 频率特性 较弱 较好 截止频率与线性范围 最佳工作点应选在接近雪崩击穿点附近。一般雪崩光电二极管的反向击穿电压在几十伏到几百伏之间。目前，雪崩光电二极管的偏压有低压和高压两种。低压在几十伏左右，高压在几十伏至几百伏之间。 二、光电三极管的等效电路 增加集电极电流Ic可减小光电三极管的响应时间，提高光电三极管的工作频率 3）温度特性 4) 光谱响应 无基极引线的光电二极管在无光照时暗电流很小，对于响应速度要求不高的场合可直接将继电器串联在基极回路，实现光电自动控制 有基极引线的光电三极管在基极上提供了一定偏流，减少了发射级电阻，改善弱光条件下的频率特性，同时使交流放大倍数进入线形区，有利于调制光的探测 图(a)当光电三极管有光照时，晶体管导通，继电器闭合 图(b)当光电三极管有光照时，晶体管截止，继电器断开 图(c)又称为斯密特触发器，适用于微弱光信号的开关控制电路，当光电三极管有光照时，晶体管导通，继电器闭合 逻辑门电路 光电池在光照度为100lx时，开路电压为Voc=180mV,Isc=80uA,求在由50lx增加到20