非晶硅薄膜晶体管.pptx

非晶硅薄膜晶体管 201402060230 黄颖 一、什么是a-Si TFT α-Si 又称无定形硅。单质硅的一种形态。棕黑色或灰黑色的微晶体。硅不具有完整的金刚石晶胞，纯度不高。熔点、密度和硬度也明显低于晶体硅。 非晶硅薄膜晶体管（简称a-Si TFT）是利用氢化非晶硅具有敏感的场效应特性制备的薄膜场效应晶体管。它具有很低的关断电流和很高的开关电流比，广泛用于液晶显示屏和平面摄像器件的地址矩阵。 a-Si TFT有许多种结构，基本的有四种，称为正向交叉型、反向交叉型、正向共面型和反向共面型。其中，反向交叉型结构最为常用。该种结构中，厚度为数十至数百纳米的氢化非晶硅膜用作活性层。 二、a-Si TFT制备原理 在栅极电压的调制下，与绝缘层形成界面的非晶硅膜的一侧诱生载流子，使源极和漏极之间通过电流。绝缘层通常采用氧化硅膜或氮化硅膜。作为源极-漏极电流对栅极电压的特性，通路电流和断路电流之比可高达10G以上,由于非晶硅膜可在小于350℃的较低温度下形成，因此衬底可以采用廉价的玻璃，从而使a-Si TFT不但性能优异，而且成本较低，成为大面积微电子器件中优良的驱动电路开关元件。 三、a-Si TFT制备工艺流程 TFT制备过程实际上是各种薄膜沉积和成型的过程。以a-Si TFT为例，产业化的工艺流程如下： 玻璃基板处理→栅电极沉积（溅射法）→光刻和刻蚀→ 栅绝缘膜SiNx （CVD法）→a-Si 膜沉积（CVD法）→光刻和刻蚀→沟道保护层SiNx （CVD法）→光刻和刻蚀→n+ a-Si 膜(CVD法）→光刻和刻蚀→源漏金属电极沉积（溅射法)→光刻和刻蚀→钝化膜（CVD法） CVD:两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室中，以某种方法激活后相会之间发生化学反应生成一种新的材料，沉积到基板表面上。 光刻：利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将图形转移到要加工材料的表面，形成功能图形的工艺技术。 刻蚀：材料的刻蚀是在光刻胶的保护下，通过物理或者化学的方法将不受光刻胶保护的区域除去的过程。 a-Si TFT制备工艺流程 四、a-Si TFT应用 1.平板彩色液晶显示： 开关性能好、能够大面积沉积、再现性好、制备温度低。大多用反向交叉型（IS），少数用正向交叉型（NS）。 2.红外探测器： 非晶硅薄膜晶体管由于其较高的沟道电流温度系数而被用于非致冷型红外探测器。 3.集成电路 4.电子印刷机 5.图像传感器 谢谢观看