电力电子技术第一章选读.pptxVIP

电力电子技术;;◆具体地说，电力电子技术就是使用电力电子器件对电能进行变换和控 制的技术。 ?电力电子器件的制造技术是电力电子技术的基础。 ?变流技术则是电力电子技术的核心。;功率集成电路（PIC）智能功率模块（IPM）;电力电子技术;2;1;1;1;1;A;1;;1;1;1;1;1;1;1;1;1;1;1;1;1;1;1;1;1;1;1;1;1;1;1;1;二次击穿 二次击穿是影响GTR安全可靠工作的一个重要因素。当GTR的集电极电压升高至击穿电压时，集电极电流迅速增大，这种首先出现的击穿是雪崩击穿，被称为一次击穿。出现一次击穿后，只要Ic不超过与最大运行耗散功率相对应的限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不会有什么变化。但是实际应用中常常发现一次击穿发生时如不有效地限制电流，Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升，同时伴随着电压的突然下降，这种现象称为二次击穿。防止二次击穿的办法是：①应使实际使用的工作电压比反向击穿电压低得多。②必须有电压电流缓冲保护措施。;1．GTR基极驱动电路 (1)对基极驱动电路的要求 ①实现主电路与控制电路间的电隔离。 ②导通时，基极正向驱动电流应有足够陡的前沿，并有一定幅度的强制电流，以加速开通过程，减小开通损耗。 ③GTR导通期，基极电流都应使GTR处在临界饱和状态，这样既可降低导通饱和压降，又可缩短关断时间。 ④在使GTR关断时，应向基极提供足够大的反向基极电流，以加快关断速度，减小关断损耗。 ⑤应有较强的抗干扰能力，并有一定的保护功能。;1;■GTR是双极型电流驱动器件，由于具有 电导调制效应，其通流能力很强，但开关速度较 低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。而电力 MOSFET是单极型电压驱动器件，开关速度快， 输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱 动电路简单。绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT或IGT）综合了GTR 和MOSFET的优点，因而具有良好的特性。 ; 目前IGBT产品已经系列化，最大电流容量达1800A，最高电压等级达4500V， 工作频率达50kHz。在电极控制/中频电源/各种开关电源以及其他高速低损耗的小功率领域，IGBT取代了GTR和一部分MOS的市场。随着IGBT的生产水平进???步向高电压、大电流方向发展，可以预料它不仅在低压高频领域应用，而且在高压、大电流场合都会接近GTO的水平二获得极为广泛的应用。;1;谢谢