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- 2019-12-10 发布于北京
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*/75 例如: 常规Al2O3烧结温度在2073-2173K, 在一定条件下,纳米的Al2O3可在1423K至1773K烧结,致密度可达99.7%. 常规Si3N4烧结温度高于2273K, 纳米氮化硅烧结温度降低673K至773K。 纳米级ZrO2陶瓷的烧结温度比常规微米级的ZrO2低~400K。 */75 纳米TiO2在773K加热呈现出明显的致密化,而晶粒仅有微小的增加,致使纳米微粒TiO2在比大晶粒样品低873K的温度下烧结就能达到类似的硬度. */75 非晶态向晶态的转化温度降低 非晶纳米微粒的晶化温度低于常规粉体 传统非晶氮化硅在1793K开始晶化成α相 纳米非晶氮化硅在1673K加热4h全部转变成α相 */75 对纳米材料而言,Tm↓,热膨胀系数α↑ Cu(8nm)微粒:在110K→293K时, α 为31×10-6K-1 单晶Cu: α 为16×10-6K-1 已证实,Cu和Au晶界热膨胀比晶内高3倍,间接说明了纳米晶体热膨胀系数高的原因。 α-Al2O3热膨胀系数: 80nm (9.3×10-6K-1) 105nm (8.9×10-6K-1) 5μm (4.9×10-6K-1) */75 磁化强度与磁场强度的关系:M=χH Χ-磁化率:反映材料的磁化能力或磁化难易程度,据其大小
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