1.列出电浆的三种成份。答电浆是由离子、电子、中性分子(原子)组成。2.docVIP

1.列出電漿的三種成份。 答:電漿是由離子、電子、中性分子(原子)組成。 2.傳統的PECVD反應室中的游離化速率是多少？ 答:百萬分之一到千萬分之一 3.列出電漿中三種重要的碰撞並說明其重要性。 答: 1.離子化 : 離子化非常重要，因為它會產生並維持電漿。 2.激發-鬆弛 : 常利用偵測電漿的發光變化來決定蝕刻和CVD反應室清潔步驟的終點 3.分解 : 因為產生的自由基化性上很活潑，可以增進CVD和蝕刻製程之化學反應。 4. PECVD製成是如何在較低的溫度下達到高沉積速率？ 答:在低溫時(＜450℃)，電漿中經由分解碰撞所產生的自由基能有效地提高化學反應速率， 這樣可以明顯地增加沉積速率。 5.何謂平均自由路徑？又平均自由路徑是如何隨著壓力而改變？ 答: 平均自由路徑:為粒子在和其他粒子碰撞之前所能移動的平均距離。 平均自由路徑隨著壓力變大而變小(約成反比)。 6.電漿中那一種成份移動最快？ 答: 電子移動最快。(因質量最輕也最小) 7.當射頻功率增加時，直流偏壓會如何改變？ 答: 當射頻功率增加時，直流偏壓會隨之變大。 8.說明電漿離子轟擊在蝕刻、PECVD以及濺鍍PVD製程中的重要性。 答: 1.離子轟擊會影響蝕刻速率、蝕刻選擇性、蝕刻輪廓， 2. 在PECVD中它會影響沉積速率和沉積薄膜應力。 3.電漿濺鍍沉積的薄膜會有較高的品質、較少的雜質、較好的導電性。 9.電漿蝕刻反應室和PECVD製程室之間的主要差異為何？ 答: 蝕刻製程是將材料由基材的表面移除，蝕刻製程通常在較低的壓力下進行。 CVD製程是添加材料到基材的表面，而PECVD製程通常是在比蝕刻製程(30-300毫托) 要高的壓力下(1-10托)操作。 10.在蝕刻反應室中通常將晶圓放在那個電極上？為什麼？ 答: 在蝕刻反應室中通常將晶圓放在較小的射頻熱電極上， 以便在整個射頻週期中獲得較高能量的離子轟擊。 11.為何蝕刻反應室中需要有一個背面氦氣冷卻系統以及夾環或靜電夾盤？ 答:由於化學蝕刻速率對晶圓的溫度很敏感，所以需要一個晶圓冷卻系統，以調節晶圓溫度及控制蝕 刻速率。因為蝕刻製程必須在低壓下進行，然而低壓卻不利於轉移熱量，因此通常會將加壓的氦氣 注入晶圓背面以便把熱能從晶圓轉移到晶圓的冷卻台(夾盤)，此時即須要夾環(或靜電夾盤)來防止 背面的高壓氦氣會將晶圓從冷卻台上吹走。 12. 當電漿蝕刻系統中的蝕刻速率出現差錯時，為什麼人們總是先檢查射頻系統？ 答: 因為射頻功率就是控制蝕刻速率的最重要變數。 13.為何電容耦合型電漿源無法產生高密度電漿？ 答:因為當反應室的壓力只有幾毫托時，要在磁場中產生電將是相當困難的。 在此低壓狀態下，電子的平均自由路徑和電極的間距約相同(甚至更長)， 因此無法形成足夠的離子化碰撞，無法產生高密度電漿。 14.不考(略).答ICP和ECR 1.列出摻雜步驟中離子佈植優於擴散之處 低溫 , 以光阻作遮蔽層 非等向性的摻雜物分佈輪廓 能獨立控制摻雜濃度和接面深度 批量及單晶圓製程 2.列舉三項在互補金氧半電晶體積體電路製造中的佈植製程 井區 , 臨界電壓 , 源極/汲極. 3.離子佈植對積體電路製造的主要改變為何. 離子佈植能精確且獨立地控制掺雜物濃度與接面的深度，離子佈植為非等向性，次微米需要它。 4. 兩種離子阻滯的機制為何? 原子核阻滯：入射的離子與晶格原子產生碰撞，而碰撞引起散射會將能量轉移至晶格原子。 電子阻滯：入射的離子與晶格原子的電子產生碰撞 ，在電子碰撞過程中，入射路徑幾乎是不變的， 能量轉換非常小，而晶體的結構損壞可以被忽略。 5. 摻雜步驟中最重要的結果是摻雜物接面的深度與濃度，其控制因素為何？ 答：深度由離子能量來控制，濃度由離子束的電流和佈植時間控制 6.當兩個離子以相同的能量和入射角度佈植進入單晶矽中時它們在矽中會停在相同的深度嗎？試解釋你的答案 離子愈輕離子的射程愈遠 7.試描述離子投影射程離子能量和離子種類之間的關係 高原子序有高的阻滯力和短的投影射程 低原子序有低的阻滯力和長的投影射程 8.為何晶圓在離子佈植後後需要熱退火處理 離子佈植會造成晶體結構受損，需退火處理才能恢復單晶結構及活化摻雜物 10為何在製程期間一個離子佈植器的射束線需要在高真空狀態 減少帶電離子和中性氣體分子沿離子的軌跡發生碰撞 , 碰撞會引起離子的散射和損失 , 並且會從離子與中性源子間的電荷交換碰撞而產生不想要的佈植 , 這會造成射束的污染. 11. 積體電路製造中使用的最毒氣體為何？你如何辨識它？他是P型參雜物還是N型參雜物？ 磷 銻 砷 五價 N型 都很毒 不明物不可碰 硼 鎵 銦 三價 P型 12.為何一個離子佈植機需要一個