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2017-06-21 发布于天津
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Si直接键合界面的FTIR和XPS研究-CORE.PDF

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Si直接键合界面的FTIR和XPS研究-CORE

SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS　Vol. 25 No. 5 Oct. 2004 材料、结构及工艺 Si/ Si 直接键合界面的 FTIR 和 XPS 研究陈松岩 , 谢　生 , 何国荣 ( 厦门大学物理系,福建厦门 361005) ( ) 摘　要 : 　通过新颖的键合方法实现了 Si/ Si 直接键合。采用傅里叶红外透射谱 FTIR 对 Si/ Si 键合界面进行了研究 ,结果表明 ,高温退火样品的界面组分为 Si 和 O ,无 OH 和 H 网络存在。X ( ) 射线光电子谱 XPS 测试结果进一步表明 ,界面主要为单质 Si 和 SiO x 混合网络 ,且随着退火温度的升高 ,界面层 Si - Si 直接成键的密度也越高。关键词 : 　硅 ; 直接键合 ; 红外透射谱 ; X 射线光电子谱 ( ) 中图分类号: TN301 1 　文献标识码 :A 　文章编号 :1001 - 5868 2004 04 - 0372 - 04 FTIR and XPS Analysis of Directly Bonded Si/ Si Interface CHEN Songyan , XIE Sheng , HE Guorong ( Department of Physics , Xiamen University , Xiamen 361005 , CHN) Abstract : 　The Si/ Si direct bonding has been achieved by a new bonding technology. Fourier transform infrared spectrum ( FTIR) and Xray photoelectron spectroscop y ( XPS) are used to analyze the interface of Si/ Si bonding. The results show that there are notinfrared absorbtion peak related to the Si - H bonding and Si - OH bonding in the interface at high temperature , and the interface is consisted of Si and SiO x . In addition , the research indicates also that the Si/ Si bonding density is increased with the increase of bonding temperature. Key words : 　silicon ; direct bonding ; FTIR ; XPS 1 　引言界面的化学态和键合键的形成机理。首先测量了高 ( )