固体化学试题B卷.DOCVIP

兰州大学2005～2006学年第 2 学期 期末考试试卷（B卷） 课程名称： 材料化学导论 任课教师： 王育华 学院： 物理院 专业： 材料化学 年级： 2004 姓名： 校园卡号： 题 号 一 二 三 四 五 总 分 分 数 阅卷教师 一、问答题 试讨论晶体、非晶体、化合物、混合物、固溶体和玻璃体的X射线衍射图谱的特点。（6分） 某些无机盐及可以具有CsCl型结构,也可以具有NaCl型结构，试问他们在高压下倾向于哪一种结构?（5分） 水热法是合成无机材料的重要方法，应用这种方法已合成了许多现代无机材料。试述水热合成的基本原理、水热合成的基本类型和水热合成的特点。（6分） 试答为什么铜是比钨软得多的金属（6分） 溶胶-凝胶（Sol-Gel）合成是一种近期发展起来的能代替高温固相合成反应制备陶瓷、玻璃和许多固体材料的新方法。（1）试述溶胶-凝胶合成方法中的主要化学问题。（2）与固相反应方法相比，溶胶-凝胶方法有哪些优点？（8分） 钙的电子构型是1s22s22p63s23p64s2,试说明为什么钙显金属导电性。（5分） 7、固体材料的制备方法很多，一般采用固相反应法。请解释为何在大多数情况下固体间的反应都很慢？举例说明怎样才能加快反应速度？（6分） 8、热分析是一个有用的研究固体材料的方法，请说明用TGA,DTA,DSC所能得到的信息；加热下列物质至熔化，你认为会得到什么样的DTA和TGA曲线？（任选四个）（6分） 沙子；（2）窗玻璃；（3）食盐；（4）洗涤碱；（5）七水合硫酸盐；（6）金属镍；（7）铁电体BaTiO3；（8）一种粘土矿。 9、下述晶体中你预料何类缺陷占优势？（任选四个）（6分） (1)用MgCl2 掺杂的NaCl; (2)用Y2O3 掺杂的ZrO2; (3)用YF3掺杂的CaF2；(4)用As掺杂的 Si; (5)一块已经捶击或薄片的铝； (6)在一种还原性气氛中加热过的WO3。 10、指出下列材料是n型，还是p型半导体：（任选三个）（6分） （1）GaAs中掺Zn （2）InAs中还有稍微过量一点的In （3）受射线照射过的KCl （4）Li0.05Cu0.95O （5）WO2.999 二、计算题 当一个阳离子周围的阴离子之间互相接触，并恰好都和中心阳离子接触时，这时的阳离子半径与阴离子半径之比叫做临界半径。这个比值代表一种特定的阴离子配位数存在条件下的最小半径比。试计算下列各种配位条件下的临界半径比：（1）立方配位，（2）八面体配位，（3）四面体配位，（4）三角形配位。（16分） 2、下列几种化合物具有NaCl型结构，它们中的正、负离子之间的距离（）分别为下列数值，试由这些数据计算出S2－和Se2－的离子半径。（8分） MgO 2.10 MgS 2.60 MgSe 2.73 MnO 2.24 MnS 2.59 MnSe 2.73 3、计算S2-的电子亲合能。选用FeS作为模型设计合适的循环，有关数据在表1给出。（8分） 表1 FeS的玻恩-哈伯循环数据（kJ mol－1） Term Value Δ(Mg(S)) 147.7 I1(Mg) 736 I2(Mg) 1452 Dm(O-O) 249 Δ (MgO(S)) -601.7 E(O) 141 4、正交晶系结构ThSe2晶胞参数a＝442.0pm，b=761.0pm，c＝906.4pm，密度=8.5×103kgm-3，计算该晶胞内ThSe2的分子数目Z？（已知MTh＝232.03g/mol，MSe＝78.96 g/mol）。（8分） 1 ----------------------------------------------装---------------------------订----------------------------线---------------------------------------------- 第2页 第2页 第2页 共四页 第1页 共四页 第2页 第1页