第二章_51单片机内驳目结构.ppt

2.6 80C51的并行口结构与操作;2.1 80C51系列概述; 生产工艺有两种：; 功能上，该系列单片机有基本型和增强型两大类（名称上）：;在片内程序存储器的配置上，该系列单片机有三种形式，即掩膜ROM、EPROM和无ROM。如：;2.1.2 MCS-51系列;2.2 80C51的基本结构与应用模式;2.2.2 80C51的应用模式;单片机由于引脚有限，AB.DB.CB采用复用方式，可扩展： 1）芯片内无程序存储器时或容量不够需要扩展 2）需要扩展并行总线外围器件（当扩展外围器件较多较复杂时，系统可靠性降低，尽量减少扩展器件数量）;二.非总线型单片机应用模式（多I/O模式） ;2.3 51典型产品资源配置与引脚;由表可见： 增强型与基本型的几点不同：;;2.3.2 80C51的引脚封装;一、32位I/O端口 1.P0,P1,P2,P3四组,每组8根线,共32根线 2.P0.0—P0.7一组共8条，P0.7为最高位，P0.0为最低位。P0口可以作为通用I/O口使用，输出/入数据。另外还用做与地址锁存器相连，在访问外部存储器时与P2口共同输出地址。P0为低8位，P2为高8位。 3.P1.0—P1.7一组共8条，P1.7为最高位，P1.0为最低位。P1口可以作为通用I/O口使用，输出/入数据。;3.P2.0—P2.7一组共8条，P2.7为最高位，P2.0为最低位。P2口可以作为通用I/O口使用，与P0口共同输出/入地址。 4.P3.0—P3.7一组共8条，P3.7为最高位，P3.0为最低位。P3口可以作为通用I/O口使用，输出/入数据。另外P3口还有第二功能！;二.电源引脚 Vcc(40), Vss(20): 正电源端与接地端（+5V/3.3V/2.7V)不同的单片机可以允许不同的工作电压，不同的单片机表现出的功耗也不同。 三.振荡电路输入引脚 XTAL1, XTAL2（18，19）:片内振荡电路输入/输出端 (P21页 图2-6) ;四.控制引脚 1.rst/Vpd:复位/备用电源线。可以使单片机处于复位状态。 2.EA*/Vpp: 寻址外部ROM控制端/编程电源输入端。 EA*:低有效 (理解记忆！) 接地（0）：不使用内部ROM或内部无ROM的MCU时 接高电平（1）:允许使用片内有ROM； 当PC0FFFH（4k）,CPU访问片内ROM, 当PC0FFFH,且外部有扩展ROM时，CPU自动转向外部ROM的程序 Vpp(8751):对片内ROM编程时编程正电源加到此端。;3.ALE /PROG*: 地址锁存允许/编程脉冲输入端。 ALE:P0口寻址外部低8位地址时接外部锁存器 G(LE)端；配合P0口第二功能使用。 当访问外部存储器时，ALE信号的负跳变将P0口上的低8位地址送入锁存器； 不访问外部存储器时，ALE端以固定的振荡器振荡频率的1/6速率输出正脉冲信号，作为对外的时钟信号或定时脉冲f?fosc/6 PROG*(8751)对片内ROM编程时编程脉冲由此端加入。;;2.4 80C51的内部结构; ;二、片内存储器 程序存储器和数据存储器2个独立的空间（称为哈佛结构）：;三、I/O口及功能单元;四、特殊功能寄存器（SFR）;2.5 80C51的存储器组织;INTEL MCS51 单片机,程序存储器与数据存储器分别编址 冯诺依曼结构 8XC196/MSP430 单片机,程序存储器与数据存储器统一编址 普林斯顿结构;从逻辑上分为三个空间： 1、程序空间（0000H-0FFFFH） MOVC 2、片内数据空间（00H-7FH或0FFH） MOV 3、片外数据空间（0000H-0FFFFH） MOVX 从物理上分为四个空间： 1、片内程序空间（0000H-0FFFH） MOVC 2、片外程序空间（1000H-0FFFFH） 3、片内数据空间（00H-7FH或0FFH） MOV 4、片外数据空间（0000H-0FFFFH） MOVX ; ;1.片内RAM 低128字节（00H—7FH）； (1)00H-1FH:前32个单元是工作寄存器区 (2)20H-2FH:128个可按位寻址的位,占16个单元,位地址编号为:00H-7FH (3)30H-7FH:片内一般RAM 2.片内RAM 高128字节（80H-FFH） 离散分布着21个特殊功能寄存器 SFR 其中:地址号能被8整除的SFR中的可以按位寻址！ 3.可寻址片外RAM 64K字节 （0000H—FFFFH） 4.片内ROM 4K字节 （000H—FFFH） 5.片外ROM 64K字节 （0000H—FFFFH）;1.片内RAM 低1