第2章半导体三极管(SemiconductorDiode)案例.docVIP

第2章 半导体三极管(Semiconductor Diode) 2.1双极型三极管 教学要求 晶体三极管(Semiconductor Transistor)利用特殊工艺将两个PN结结合在一起就构成了双极型三极管。 ????? 1.结构和符号结构特点：e区掺杂浓度最高，b区薄，掺杂浓度最底；c区面积最大。 ??? 分类： ??????? 构成材料：硅管、锗管??? 结??? 构：PNP、NPN??? 使用频率：低频管、高频管 ??????? 功??? 率：小功率管、中功率管、大功率管 ???? 2.电流放大原理 ???? （1）放大条件 ???????内部条件：e区掺杂浓度最高，b区薄，掺杂浓度最底；c区面积最大。 ???????外部条件：发射结（e结）加正向偏置电压，集电结（c结）加反向偏置电压。 ???????电位条件：NPNVc＞Vb＞Ve ；PNP型： Vc＜Vb＜Ve ???????电压数值：UBE 0.5-0.8V,??? 锗0.1-0.3V ???????????????? UCB：几伏——十几伏 ???????????????? UCE：UCEUCB＋ UBE　 几伏——+ 几伏　 ????? （2）三极管内部（NPN型为例）?? ???????? 1) IE。 ???????? 2)向发射区扩散的基区多子（空穴）因数量小被忽略。这样，到达基区的电子 BC 结方向扩散形成 ICN。少数与空穴复合，形成 IBN 。基区空穴来源主要来自基极电源提供(IB)和集电区少子漂移(ICBO)。即IBN ( IB + ICBO，IB = IBN – ICBO ???????? 3)集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流 IC，I C = ICN + ICBO 。 ????? （4）三极管各极电流之间的分配关系???? ? IB = I BN ( IIC= I CN + ICBO ?? 当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即： ?? 二、晶体三极管的特性曲线 ???? 1.输入特性曲线： ??? 由输入回路可写出三极管的输入特性的函数式为iB=f(uBEuCE=常数。实测的某NPN型硅三极管的输入特性曲线如下图(b)所示，由图可见曲线形状与二极管的伏安特性相类似，不过，它与uCE有关，uCE=1V的输入特性曲线比uCE=0V的曲线向右移动了一段距离，即uCE增大曲线向右移，但当uCE＞1V后，曲线右移距离很小，可以近似认为与uCE=1V时的曲线重合，所以下图(b)中只画出两条曲线，在实际使用中，uCE总是大于1V的。由图可见，只有uBE大于05V(该电压称为死区电压)后，iB才随uBE的增大迅速增大，正常工作时管压降uBE约为0.6～0.8V，通常取0.7V，称之为导通电压uBE(on)。对锗管，死区电压约为0.1V，正常工作时管压降uBE的值约为0.2～0.3V，导通电压uBE(on)≈0.2V。 ??? ????? 2.输出特性曲线 ??? 输出回路的输出特性方程为：iC=f(uCEiB=常数 ；晶体三极管的输出特性曲线分为截止、饱和和放大三个区，每区各有其特点：??? ??? （1）截止区：?? IBIC=ICEO≈0，此时两个PN结均反向偏置。 ??? （2）放大区：IC=βIB+ICEO? ，此时发射结正向偏置，集电结反向偏置，特性曲线比较平坦且等间距。 IcIB控制，IB一定时，Ic不随UCE 而变化。 ??? （3）饱和区： uCE u uCB = uCE ( u BE 0 ，此时两个PN结均正向偏置，IC ( ( IBIC不受IB控制，失去放大作用。曲线上升部分uCE很小，uCE = u BE时，达到临界饱和，深度饱和时，硅管 UCE(SAT)=0.3V，锗管UCE(SAT)=0.1V。 ???? 3.温度对特性曲线的影响 ???? （1） 1(C，UBE ( (2 ( 2.5) mV。温度每升高 10(C，ICBO 约增大 1 倍。 ???? （2） 1(C，( ((0.5 ( 1)%。输出特性曲线间距增大。 三、晶体三极管的主要参数1.电流放大系数 （1）=IC/IB（β=ΔiC/ΔiB）。 （2）( ( 1 一般在 0.98 以上。 2.极间反向饱和电流：CB 极间反向饱和电流 ICBO，CE 极间反向饱和电流 ICEO。 ICBO、 ICEO均随温度的升高而增大。 3.极限参数：ICM ： ( 值明显降低； PCM ：集电极最大允许功率损耗 ；?U(BR)CEO：基极开路时 C、E 极间反向击穿电压；? U(BR)CBO：发射极开路时 C、B 极间反向击穿电压。 ?U(BR)EBO： 集电极极开路时 E、B 极间反向击穿电压