第03章__门电路2概要.ppt

1 当uGS＞0V时→纵向电场→将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 二、MOS管的输入特性和输出特性 三、MOS管的基本开关电路及开关等效电路 3. N沟道耗尽型MOSFET 特点： 当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。 当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 4、P沟道耗尽型MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道 MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 1、与非门 带缓冲极的CMOS门 2.解决方法 若C=1（VDD），C’＝0（0V）时： TN、TP的工作状态与vI的大小有关，故将vI的变化范围分成三段： 对TN管，讨论vI 在0~VDD-|VTP|段和VDD-|VTP|~VDD段的工作状态： vI = 0~VDD-|VTP|段：假设TN导通，则vI 传到vO后，有UGS（TN）VTN→TN导通，假设成立。故此段TN导通。 VTN VDD VDD-|VTP| 0 TN TP vI TN通 VTN = |VTP| vI = VDD-|VTP|~VDD段：仍假设TN导通，则vI传到vO后，有UGS（TN）VTN→ TN截止，与假设相矛盾。故此段TN截止。 TN止 C’=0 TP TN VDD C=VDD RL vo vI S D S D G G 对TP管，讨论vI 在0~VTN段和VTN~VDD段的工作状态： vI =0~VTN段：|UGS（TP）||VTP|→TP截止。 vI =VTN~VDD段：|UGS（TP）||VTP|→TP导通。 综上，因此：在 vI=0~VDD范围内，TP、TN至少有一管导通，所以vI总能从左往右传到vO端。 VTN VDD VDD-|VTP| 0 TN通 TN TP vI TN止 TP止 TP通 C’=0 TP TN VDD C=VDD RL vo vI S D S D G G 若将vI加在右端，RL加在左端，同理可分析，通过C和C’ 能控制 vI 从右向左传输，实现信号的双向传输。 由于TN和TP的源极S和漏极D在结构上完全对称，故源极和漏极可以互换使用，所以传输门能够实现双向传输。 C’ TP TN VDD C RL vi vo D S D S G G 传输门可作为模拟开关，传输连续变化的模拟信号。 这是一般的逻辑门无法实现的，模拟开关由传输门和反相器组成。它也是双向器件。 CMOS传输门的逻辑符号及应用 ui uo TG uo/ui ui/uo C C 模拟开关 TG uo/ui ui/uo C C 逻辑符号 SW uo/ui ui/uo C 逻辑符号 4. 三态输出的 CMOS门电路 EN=1时，CMOS呈高阻态 EN=0时，实现反相器的逻辑功能 三态输出的CMOS门电路也可以实现总线结构和双向数据传输 Y A EN 三态反相器逻辑符号 * 3.3 CMOS 门电路 MOS管的开关特性 CMOS反向器 其它类型的CMOS门电路 CMOS门电路的正确使用 CMOS门电路的基本构成单元是MOS门电路。 MOS门电路：以MOS管作为开关元件构成的门电路。 MOS管有NMOS管和PMOS管两种。 当NMOS管和PMOS管成对出现在电路中，且二者在工作中互补，称为CMOS管（意为互补：Complementary）。 　 MOS管有增强型和耗尽型两种。 在数字电路中，多采用增强型。 MOS门电路，尤其是CMOS门电路具有制造工艺简单、集成度高、抗干扰能力强、功耗低、价格便宜等优点，得到了十分迅速的发展。 3.3.1 MOS管的开关特性 BJT是一种电流控制元件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 MOS管是一种电压控制器件(uGS~ iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 MOS管因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。 MOS管分类 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 一. MOS管的结构和工作原理 金属-氧化物-半导体场效应管晶体管 ( Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)，简称MOSFET。 分为： 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 1.N沟道增强型MOS管 （1