(大学期末复习)微电子.doc

第一章 摩尔定律的内容。 答::当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍（，当价格不变时）;或者说，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔18个月翻两倍以上。 集成电路从亚微米(0.5到1微米)、深亚微米(小于0.5微米)发展至今天的超深亚微米或纳米(小于0.25微米) ，当今集成电路的特点有哪些。 答:特征尺寸越来越小、芯片面积越来越大、单片上的晶体管数越来越多、 时钟频率越来越高、电源电压越来越低、布线层数越来越多、 I/O引线越来越多。 集成电路产业是以哪几个因素为主要环节的系统工程？ 答：市场、设计、生产、应用 VLSI的设计步骤有哪些？每一个设计步骤的实现方式/实现内容是什么？ 答：VLSI设计步骤： 1、系统规范化说明）：包括系统功能、性能、物理尺寸、设计模式、制造工艺、设计周期、设计费用等等。 2、功能设计及描述：将系统功能的实现方案设计并用VHDL等硬件描述语言描述出来。 3、寄存器传输级设计（ RTL Design）：将系统功能结构化，确定系统的时序，给出系统的状态图及各子模块之间的数据流图。 4、逻辑设计：通常以文本、原理图、逻辑图表示设计结果，有时也采用布尔表达式来表示设计结果。 5、电路设计：电路设计是将逻辑设计表达式转换成电路实现。 6、物理设计：物理设计或称版图设计是VLSI设计中最费时的一步。它要将电路设计中的每一个元器件包括晶体管、电阻、电容、电感等以及它们之间的连线转换成集成电路制造所需要的版图信息。 7、设计验证： 在版图设计完成以后，非常重要的一步工作是版图验证。主要包括：设计规则检查（DRC）、 版图的电路提取（NE）、电学规检查（ERC）和寄生参数提取（PE）。 （5）VLSI设计可分为哪几个层次？（系统级、芯片级、寄存器级、门级、电路级、版图级） 哪几个域？（行为域、结构域、几何域） 描述不同设计层次与不同域之间的对应关系。——【系统级、芯片级、寄存器级属于行为域，门级、电路级属于结构域，版图级属于几何域。行为域只考虑功能（黑匣子），结构域是电路形式（电路图），几何域要将电路转化为物理的版图（版图）当 （4）能够说明MOS晶体管的工作原理。(模电书p112) Vgs<Vtn, 晶体管截止 Vgs?Vtn，晶体管开启，设Vgs保持不变。 （1）Vds=0时，S、D之间没有电流Ids=0。（2）当Vds>0时，Ids由S流向D，Ids随Vds变化基本呈线性关系。（3）Vds>Vgs-Vtn时，由于沟道电阻Rc正比于沟道长度L，而Leff=L-?L变化不大，Rc基本不变，沟道上的电压降（Vgs-Vtn）基本保持不变。所以，Ids=(Vgs-Vtn)/Rc不变，即电流Ids基本保持不变，出现饱和现象。（4）Vds增大到一定极限时，由于电压过高，晶体管被雪崩击穿，电流急剧增加。 （5）能够准确说明NMOS和PMOS晶体管的各个工作区域。 截止区:N管 Vgs<Vtn P管 |Vgs-Vtp|<=0 导通之线性工作区：N管 Vds<Vgs-Vtn P管 |Vgs-Vtp|<|Vds| 导通之饱和工作区：N管 Vds>Vgs-Vtn P管 |Vgs-Vtp|>=|Vds| 击穿区：N管 电流突然增大，晶体管不能正常工作。 能够写出NMOS晶体管与PMOS晶体管的电流-电压方程。（理解工艺因子与导电因子表达式中各个参数的含义） 电流-电压表达式：P管 N管 线性区：Ids=βp|Vds|(|Vgs|-|Vtp|-|Vds|/2) Ids=βnVds(Vgs-Vtn-Vds/2) 饱和区：Ids=(βp/2)(|Vgs|-|Vtp|)2 Ids=(βn/2)(Vgs-Vtn)2 参数:tox为栅氧厚度 令：Cox=εoεox/tox 单位面积栅电容 εo为真空介电常数 K= Coxμn 工艺因子 εox为二氧化硅的介电常数 βn=K(W/L) 导电因子 L为栅的长度 W为栅的宽度 （7）能够示意地画出NMOS晶体管的输出特性曲线与转移特性曲线。 理解CMOS反相器的工作原理。 答：两个MOS管的开启电压VGS(th)P<0， VGS(th)N >0，通常