第八讲——外延（续）；器件处理-概述外延技术液相外延气相外延1，汽.PDFVIP

第八讲——外延（续）；器件处理-概述 l 外延技术 液相外延 气相外延 1 ，汽相外延；2 ，金属有机化学物化学汽相淀积 分子束外延 1 ，固体源；2 ，气体源；3，金属有机化学物源；4 ，化学束 l 器件处理 外延技术 1 ，湿蚀刻 a ，选择性蚀刻；b ，蛤异性腐蚀；c ，蛤同性腐蚀 掺杂技术 1 ，扩散 2 ，离子注入 欧姆接触 失配外延——使各层松弛 坡度晶格固定层 线性坡度 阶跃坡度 l 那种方法更好并没有共识，通常选用较方便或较实用的一种。 l 由于最后一层通常不是完全松弛的，他通常升高到某一能级然后降回，如左 边的结构所示。这样可以实现一个完全松弛的顶层。 松弛的，失配的层被称作“变形的” LPE “舟”的分解图 材料：加工过的热解石墨 生长环境：电阻加热炉中石英管中的一个大气压下的提纯氢。 液相外延——熔融计算 二相图 In-P 图表 A-B-C 随着T减小，二元（或三元）化合物从熔融状态中凝固 ——左图所示的二元化合物是In1-xPx ，固体是InP 。 ——右图所示的三元化合物的情况比较复杂。液体是Ay BzC1-y-z ，固体是Ax B1-x C，图 中没有表示出液体成分和x 的关系。 液相外延——熔融计算（续） 投影的等温线和In-Ga-As 系统地连结线 与InP 晶格匹配的InGaAs 的平衡液相线 三元化合物液体成分和三元化合物固体成分的关系由一条连接投影的等温线和三 元化合物固体线的线表示，如左图所示。 或者由一个我们关心的特定固体成分的液体成分-温度关系图表示，如右图所示。 金属有机化学物化学汽相淀积——MOCVD 一个Ⅲ族元素前驱物质扩散器 操作：扩散器安装在恒温容器中。充满前驱物质 （Ⅲ族有机金属）的氢载流子在确定的 温度下。前驱物质以气体的形式在加热的管道中传输。流量由质量流量计控制。 固体源分子束外延示意图 固体源分子束外延系统（NTU） 底压：10- 11 托 （低温冷却） 外延生长时的压强：10-8 到 10-7 托 MBE 系统(NTU) 中的样品载入和控制 样品先被载入超高真空转移室中脱气，然后再载入主室中进行外延生长。 单丝泻流室 （In,Ga 和Al） 有阀砷、磷裂化室 有阀砷裂化室 有阀磷裂化室 用于砷或磷流的快速中断和突然变化。 射频氮等离子体和有阀锑裂化室源 射频氮等离子体源 有阀锑裂化室源