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第八章 光刻与刻蚀工艺 主 讲：毛 维 mwxidian@126.com 西安电子科技大学微电子学院 绪论 光刻：通过光化学反应，将光刻版（mask）上的图形 转移到光刻胶上。 刻蚀：通过腐蚀，将光刻胶上图形完整地转移到Si片上 光刻三要素： ①光刻机 ②光刻版（掩膜版） ③光刻胶 ULSI对光刻的要求： 高分辨率；高灵敏的光刻胶； 低缺陷；精密的套刻对准； 绪论 绪论 绪论 绪论 掩膜版与投影掩膜版 投影掩膜版（reticle）是一个石英版，它包含了要在硅片上重复生成的图形。就像投影用的电影胶片的底片一样。这种图形可能仅包含一个管芯，也可能是几个。 光掩膜版（photomask）常被称为掩膜版(mask)，它包含了对于整个硅片来说确定一工艺层所需的完整管芯阵列。 绪论 掩膜版的质量要求： 若每块掩膜版上图形成品率＝90％，则 6块光刻版，其管芯图形成品率＝（90％）6＝53％； 10块光刻版，其管芯图形成品率＝（90％）10＝35％； 15块光刻版，其管芯图形成品率＝（90％）15＝21％； 最后的管芯成品率当然比其图形成品率还要低。 绪论 特征尺寸（关键尺寸）在集成电路领域，特征尺寸是指半导体器件中的最小尺寸。在CMOS工艺中，特征尺寸典型代表为“栅”的宽度，也即MOS器件的沟道长度。一般来说，特征尺寸越小，芯片的集成度越高，性能越好，功耗越低。 关键尺寸常用做描述器件工艺技术的节点或称为某一代。0.25μm以下工艺技术的节点是0.18μm、0.15μm、0.1μm等。 套准精度  光刻要求硅片表面上存在的图案与掩膜版上的图形准确对准，一般而言，器件结构允许的套刻误差为器件特征尺寸的三分之一左右，当图形形成要多次用到掩膜版时，任何套准误差都会影响硅片表面上不同图案间总的布局宽容度。而大的套准容差会减小电路密度， 即限制了器件的特征尺寸，从而降低 IC 性能。 绪论 Clean Room 洁净等级：尘埃数/m3；（尘埃尺寸为0.5μm） 10万级：≤350万，单晶制备； 1万级：≤35万，封装、测试； 1000级：≤35000，扩散、CVD； 100级：≤3500，光刻、制版； 深亚微米器件（尘埃尺寸为0.1μm） 10级：≤350，光刻、制版； 1级：≤ 35，光刻、制版； 8.1 光刻工艺流程 主要步骤： 涂胶、前烘、曝光、显影、 坚膜、刻蚀、去胶。 两种基本工艺类型： 负性光刻和正性光刻。 8.1 光刻工艺流程 8.1 光刻工艺流程 8.1.1 涂胶 1.涂胶前的Si片处理(以在SiO2表面光刻为例) SiO2:亲水性；光刻胶：疏水性； ①脱水烘焙:去除水分 ②HMDS：增强附着力 HMDS：六甲基乙硅氮烷——(CH3)6Si2NH 作用：去掉SiO2表面的-OH 8.1 光刻工艺流程 8.1.1 涂胶 2.涂胶 ①对涂胶的要求：粘附良好，均匀，薄厚适当 胶膜太薄－针孔多，抗蚀性差； 胶膜太厚－分辨率低（分辨率是膜厚的5－8倍） ②涂胶方法：浸涂，喷涂，旋涂√ 8.1 光刻工艺流程 8.1.2 前烘 ①作用：促进胶膜内溶剂充分挥发，使胶膜干燥； 增加胶膜与SiO2 （Al膜等）的粘附性及耐磨性。 ②影响因素：温度，时间。 烘焙不足（温度太低或时间太短）——显影时易浮胶， 图形易变形。 烘焙时间过长——增感剂挥发，导致曝光时间增长， 甚至显不出图形。 烘焙温度过高——光刻胶黏附性降低，光刻胶中的感光 剂发生反应（胶膜硬化），不易溶于 显影液，导致显影不干净。 8.1 光刻工艺流程 8.1.3 曝光： 光学曝光、X射线曝光、电子束曝光 ①光学曝光－紫外，深紫外 ⅰ）光源： 高压汞灯：产生紫外(UV）光， 光谱范围为350 ~ 450nm。 准分子激光器：产生深紫外(DUV）光，