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片上集成MEMS射频滤波器.pdf
2009篮 仪表技术与传感器 2009
Instrument andSensor
增刊 Technique supplement
片上集成MEMS射频滤波器
吴争争，顾磊，李昕欣
(中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海200050)
摘要：研究采用MEMS工艺技术制造可在硅集成电路片上集成的射频滤波器。MEMS工艺技术实现了高性能嵌入式
螺管电感和金属-绝缘层-金属电容元件的集成制造。整个微加工制造工艺为低温工艺，可与CMOS集成电路工艺实现后
端集成。基于此工艺，设计和实现了应用于5GHz射频频段的微小化的片上集成滤波器，包括一种低通滤波器和一种带
通滤波器。测试结果表明，5阶低通滤渡器的一1．5dB转折频率在5．3GHz频率，从直流到5GHz频率的插入损耗小于
1．06 GHz的最小插入损耗为4．3
dB．实现的带通滤波器为两阶谐振耦合式，在中心频段5．3 dB，通带内的回波损耗大于
13
dB．研究结果表明：该微加工技术适用于无源器件和滤波器电路的CMOS后端集成，适合高性能射频片上系统的应
用。
关键词：微加工工艺技术；CMOS后端集成；滤波器；射频集成电路
中图分类号：TP272 文献标识码：A 文章编号：1002—1841(2008)增-0127一04
RF
MEMS-basedFilters
． Integrated
On—chip
WU Xin—xin
Zheng—zheng，GULei，LI
Instituteof andInformation of 200050，China)
(Shanghai nicrosystem Technology，ChineseAcademySciences，Shanghai
Abstract：This a for of
paperpresentedpost-CMOScompatiblemicromachiningprocessimplementationcompact·sizedon-chip
inductors
RFfihem．The achievessimultaneousformationof concavesolenoid
integrated micromachiningprocess hJighperformance
isin conditionandsuitablefor of
and fabrication low
metal-insulator-metal(MIM)capacitors．Theprocess temperature postprocess
CMOS circuits．Basedonthis RFfilter
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