第十一章 版图注意事项.pptVIP

* * 请注意它们的ring * * 对于M=1的两个器件进行匹配，出于性能考虑往往不要将其merge。 * 当M=2时，可以将其merge，但注意应该加上dummy器件。 Dummy器件栅、源均接衬底电位：若为NMOS则栅端接低电位，PMOS栅接高电位。 但这样做需要修改网表。特别注意，任何版图设计者均不能修改网表内容（表头除外），应交与电路设计者修改。 * * * 任何一点窗口均可带来很大的噪声 * 每根走线都有三种寄生，即：正面、背面、侧面、分别对地和对旁。 应该在刚开始就与designer商议确定哪些地方需要shielding结构。 由于shielding将所有层的金属都用到了，在以后接线的时候，所有的线均不能从该区域跨过。如果shielding的距离过长，对后面的绕线会带来许多不便。因此，如果有shielding结构，一定要最先绕并保证距离尽量短，完成之后再绕其他线。 * * * * Rules for match Device in the same size Two in series Two in parallel Four in parallel Rules for match Choose a middle value for root component Match for R1=4k R2=16k Which one is better？ Rules for match Choose a middle value for root component 阻值居中 长度、宽度在精度范围内 所占面积最小 经验值（0.5um）： 最窄2um，仅用于无需任何阻值精度要求的大电阻 普通匹配3~4um 高精度匹配5~6um 有精度要求者，方块值最好在6个以上 50～60um左右为佳，太长易断 宽度： 长度： Rules for match Choose a middle value for root component Match for R1=1k R2=100k 应力与共质心 共质心版图是单步减小大范围应力诱发失配最有效的技术。下图中的ABAB结构两个器件的质心没有完全对准，应避免使用。ABBA结构虽然需要加Dummy器件，但其可以很好的减小应力诱发失配的影响。 Dummy resistor 当很多多晶电阻并排摆放时，在阵列边缘的电阻条会受到刻蚀速率变化的影响，电阻朝外的侧壁会很快刻蚀玩，朝内的边刻蚀速率很慢，中间的电阻没有向外的边缘，因此最终宽度会比其他电阻稍大。Dummy resistor添加到匹配电阻阵列的两端，以保证刻蚀的一致性。Dummy resistor的宽度可以比它们所保护的电阻小很多，但是dummy resistor和邻近电阻的间距必须与阵列中电阻的间距匹配。把dummy resistor接地可以消除所有静电调制的可能性。 Rules for match Dummy device for over-etching Pbase电阻：接到地电位 Poly电阻：可作为一个连接通道 可用顶层金属连接，预留修条 Dummy电阻的连接 自身短接 M3 Match the parasitic parameter Rules for match ！！！！对精度要求极高的电阻 应该使contact孔和via孔带来的寄生电阻 以及由于金属走线带来的寄生电阻也对应成比例 需要精确匹配的器件之间的缝隙不应该用来走线 金属走线一般不应该大范围的从电阻上方跨过 ：在金属化系统的淀积和刻蚀 过程会引入氢，氢通过消除晶粒间界的悬挂键和氢补偿能够影响多晶硅电阻的阻值。若金属走线在电阻上方跨过，各电阻段上的金属覆盖量不同会导致金属化诱发失配。 Rules for match Rules for match Which one is better matched？ Something Especial for MOS 请注意ring！ Merged Rules for match Implant Implant Source Asymmetry Drain A B Source Drain Drain Something Especial for MOS Rules for match This one is better！！！ Something Especial for MOS M=1的两个器件进行匹配一般不要将其merge Rules for match Common Centroid Symmetry Layout（AB BA） Something Especial for MOS M=2，merge 栅、源接衬底电位 网表修改 版图设计者不得自行修改网表！ Rules for