国家高技术研究发展计划( 863 计划) 新材料技术领域“高效指南.pdf

国家高技术研究发展计划（863 计划） 新材料技术领域 “高效半导体照明关键材料技术研发” 重大项目申请指南 在阅读本申请指南之前，请先认真阅读《国家高技术研究发 展计划（863 计划）申请须知》（详见科学技术部网站国家科技计 划项目申报中心的863 计划栏目），了解申请程序、申请资格条件 等共性要求。 一、指南说明 研究开发高效节能、长寿命的半导体照明产品是《国家中长 期科学和技术发展规划纲要（2006-2020 年）》优先主题的重要内 容。“高效半导体照明关键材料技术研发”重大项目“十二五”的 战略目标是：以打造半导体照明产业核心竞争力为目标，以提高 自主创新能力为关键，以改善产业发展环境为手段，通过自主创 新，突破白光普通照明核心技术和产业化关键技术，完善技术创 新体系，培育科技创新领军人才和创新团队，建立特色产业基地， 形成具有国际竞争力的半导体照明战略性新兴产业。 本项目分解为十五个研究课题，公开发布课题申请指南，本 次发布的课题申请国拨经费控制额为30000 万元。 1 二、指南内容 课题1、大尺寸Si 衬底GaN 基LED 外延生长、芯片制备及封装技 术 课题研究目标： 掌握高内量子效率的 Si 基 LED 蓝光和绿光外延材料生长技 术，开发出高光提取效率的Si 基LED 芯片制造和封装的规模化生 产技术，促进Si 基功率型（驱动电流为 350mA）LED 器件进入普 通照明领域。 课题主要研究内容： （1 ）Si 衬底氮化物材料异质生长技术及器件制备技术； （2 ）4 英寸及以上Si 基LED 蓝光和绿光外延材料生长技术； （3）功率型Si 衬底LED 芯片制备、封装技术和产业化生产技术。 课题主要考核指标： （1 ）功率型绿光LED 每瓦光输出功率、功率型蓝光LED 器件每瓦 光输出功率、功率型白光LED 器件达到同期国际先进水平。 （2 ）功率型白光LED 器件光效产业化水平不小于 110 lm/W，芯 片成本≤0.7 元/W；光衰达到国际先进水平； （3）建立年产千万只以上功率型Si衬底LED 芯片与封装生产线。 （4 ）申请一批发明专利，形成一批国家标准。 课题支持年限: 2011 年1 月至2013 年12 月。 本课题拟支持国拨经费控制额为6000 万元，自筹经费不低于 国拨经费。 2 课题2、LED 外延生长用SiC 衬底制备技术研究 课题研究目标： 掌握高质量 SiC 单晶的生长、切割和晶片加工技术；开发出 SiC 衬底的制备技术，支撑外延技术开发；建立 SiC 衬底产业化 生产线。 课题主要研究内容： （1 ）34 英寸高质量SiC 单晶生长技术； （2 ）规模化衬底生产的切、磨、抛等处理工艺； （3）SiC 衬底的表面洁净技术。 课题主要考核指标： （1 ）SiC 晶体可使用面积＞90％； （2 ）衬底表面的粗糙度、双晶衍射摇摆曲线半高宽达到同期国际 先进水平；衬底表面适合于GaN 基LED 的外延工艺要求； （3）建立年产万片以上的SiC 衬底生产线。 （4 ）申请一批发明专利。 课题支持年限： 2011 年1 月至2013 年12 月。 本课题拟支持国拨经费控制额为1500 万元，自筹经费不低于 国拨经费。 课题 3、GaN 同质衬底及外延生长技术研究 课题研究目标： 开发出直径为 2-4 英寸的同质衬底；掌握同质衬底上的 LED 3 同质外延及器件结构技术；获得拥有自主知识产权的专利技术。 课题主要研究内容： （1 ）氢化物气相外延（HVPE ）等衬底制备量产技术； （2 ）开发衬底设备制造技术； （3）具有自主知识产权的GaN 同质衬底高光效LED 制备技术。 课题主要考核指标： （1 ）在自行研制的设备上开发出2-4 英寸免处理同质衬底，厚度 偏差、晶体位错密度、室温主发光峰达到同期国际先进水平； （2 ）室温下材料的电子浓度和迁移率达到同期国际先进水平； （3）通过同质衬底外延制备的白光