光电池伏安特性曲线与普通半导体二极管相同。.PPT

图中伏安特性曲线是在受光面积为1cm2的情况下得到的。如果受光面积不是1cm2,则光电流的大小应作相应改变。另外,由于不同光源频谱不同,当光源的种类不同(例如太阳光、白炽灯、萤光灯等)时,即使照度相同,光电池的输出也不相同,输出与照度成比例的范围(或最大照度)亦有区别。 图2.4.9 光电池接非线性负载的情况 光电池有时接非线性负载,例如接至晶体管基极,如图2.4.9(a)所示的情况。当硅光电池与锗管相接时,锗管的基极工作电压在0.2~0.3V之间,而硅光电池的开路电压可达0.5V左右(有负载时电压小于0.5V),因此,可把光电池直接接至锗管的基极使它工作。利用图2.4.9(b)的图解分析可知,当照度自100lx变至800lx时,锗管中的基极电流IB(图中光电池伏安曲线与锗管输入特性曲线AB的交点)和集电极电流IC=βIB与照度Eν几乎成线性变化。 对于硅管,其基极的工作电压为0.6~0.7V,一个光电池不能直接控制它的工作。这时可用两个光电池串联;也可用如图2.4.10所示的电路。图中(a)和(b)分别用可变电阻RW和二极管D产生所需的附加电压,假设为0.3V至0.5V。这样光电池本身只需0.2V至0.4V的光电动势就可以控制晶体管的工作了。 图2.4.10(a)中采用了可变电阻RW,其优点是光电池所需的附加电压可任意调节;(b)中采用了二极管D,其特点是对晶体管的工作点随温度的变化有补偿作用,但二极管的正向压降为确定的数值,不能任意调节。其工作情况,亦可用图2.4.9(b)的类似方法进行图解分析。光电计数器、光电继电器等开关电路经常采用图2.4.11所示的线路。 图2.4.11 用可变电阻RW、二极管D产生所需的附加电压 2) 作电压源使用 硅光电池的开路（负载电阻RL趋于无限大时）电压与照度的关系是非线性的,因此,作为测量元件使用时,一般不宜当作电压源使用。而且硅光电池的开路电压最大也只有0.6V左右,因此如果希望得到大的电压输出,不如采用光电二极管和光电三极管,因为它们在外加反向电压下工作,可得到几伏甚至十几伏的电压输出。但如果照度跳跃式变化,如从零跳变至某值,对电压的线性关系无要求,光电池可有0.5V左右(开路电压)的电压变化,亦可适合于开关电路或继电器工作状态。 若要增加光电池的输出电压,类似于光电二极管可加反向电压,如图2.4.12(a)所示,有时为了改善线性亦可加反向电压。为加以说明,光电池的伏安特性曲线画于图2.4.12(b)。图中画出了光电池加反向电压时的负载线A′B′和不加反向电压时的负载线AB。在相同负载电阻RL情况下,这两条负载线互相平行。显然,工作于A′B′段要比工作于AB段为好,在同样的照度变化下(自0变至3Φ),不论电压或电流变化的大小都成线性关系。但光电池加反向电压后的暗电流和噪声有所增大,因而要选用反向暗电流小的光电池,并注意光电池不能因加反向电压而击穿。 图2.4.12 加反向电压的光电池 (a)电路；(b)伏安特性曲线 光电池的应用 1、光电探测器件 利用光电池做探测器有频率响应高，光电流随光照度线性变化等特点。 2、将太阳能转化为电能 实际应用中，把硅光电池经串联、并联组成电池组。 硅太阳能电池 硅太阳能电池包括单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池。 单晶硅太阳能电池在实验室里最高的转换效率为23%,而规模生产的单晶硅太阳能电池,其效率为15%。 多晶硅半导体材料的价格比较低廉,但是由于它存在着较多的晶粒间界而有较多的弱点。多晶硅太阳能电池的实验室最高转换效率为18%,工业规模生产的转换效率为10%。 非晶硅太阳能电池 非晶硅薄膜太阳能电池组件的制造采用薄膜工艺, 具有较多的优点,例如:沉积温度低、衬底材料价格较低廉,能够实现大面积沉积。 非晶硅的可见光吸收系数比单晶硅大,是单晶硅的40倍,1微米厚的非晶硅薄膜,可以吸引大约90%有用的太阳光能。 非晶硅太阳能电池的稳定性较差, 从而影响了它的迅速发展。 化合物太阳能电池 三五族化合物电池和二六族化合物电池。 三五族化合物电池主要有GaAs电池、InP电池、GaSb电池等; 二六族化合物电池主要有CaS/CuInSe电池、CaS/CdTe电池等。 在三五族化合物太阳能电池中,GaAs电池的转换效率最高,可达28%; GaAs 化合物太阳能电池 Ga是其它产品的副产品,非常稀少珍贵;As 不是稀有元素,有毒。 GaAs化合物材料尤其适用于制造高效电池和多结电池,这是由于GaAs具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率。 GaAs 化合物太阳能电池虽然