沿面闪络和丝状电流对光电导开关的损伤机理 - 电工技术学报.PDFVIP

20 10 年 10 月 电 工 技 术 学 报 Vol.25 No. 10 第 25 卷第 10 期 TRAN SACTION S OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY Oct . 20 10 沿面闪络和丝状电流对光电导开关的损伤机理 1 1 1,2 1 马湘蓉 施卫 薛红 纪卫莉 （1. 西安理工大学数理学院 西安 7 10048 2. 渭南师范学院物理与电子工程系 渭南 7 14000） 摘要 通过对电极间隙为 3mm 和 8mm 半绝缘GaAs 光电导开 损伤实验研究发现，引起 开 损伤的主要机制是沿面闪络和丝状电流。沿面闪络是在高偏置电压条件下GaAs 材料在热 传导过程中表现的熔化再结晶现象，对开 造成了致命性损伤 ；而丝状电流是开 在非线性 工作模式下由于存在负微分电导效应 （NDC），形成的高浓度电子空穴等离子体通道，芯片 内 热和冷却之间达到了动态平衡，开 处于光控预击穿状态，存在可恢复性和不可恢复性两 类损伤。 关键词：半绝缘GaAs 光电导开 沿面闪络 丝状电流 损伤 中图分类号：TN36 Injuring Mechanism of Surface Flashover and Filamention to the Photoconductive Switch M a X iangrong 1 Shi Wei1 X ue H ong 1,2 J i Weili1 ( 1. Xi ’an University of Technology Xi ’an 7 10048 China 2. Weinan Teachers University Weinan 7 14000 China) Abstract Experimental research on semi-insulating (SI) GaAs photoconductive switches with electrode gap 3mm and 8mm found out that surface flashover and filamention are two main damaged mechanisms. Surface flashover is a phenomena that GaAs material takes on melting-recrystallization in the course of heat transfer under strong bias voltage, and it would lead to a fatal inj ury to switch . Because of negative differential conductivity (NDC) effect, high concentration of electron-hole plasma channel would form filamention under nonlinear mode; the chip is in photo-controlled pre- breakdown state. There are two kind of resumable and unresumable inj ures. Keywords ：Semi-insulating (SI) GaAs photoconductive switch, surface flashover, filamention, inj ury