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电子学、控制系统(pdf)
公職王歷屆試題 (97 台電新進職員甄試)
經濟部所屬事業機構 97年新進職員甄試試題
類別：儀電
科目：電子學、控制系統
壹、簡答題：
一、在金氧半場效電晶體（MOSFET）的元件中：
何謂次門檻電流（Sub-threshold current）？
此作用在動態隨機存取記憶體（DRAM）電路的應用上有何種影響？
【擬答】：
當增強型MOSFET在V V 時，則汲極電流為0，但若 V 之大小很接近臨界電壓
GS T GS
（VT ）時，會有一個很小的汲極電流，此一電流稱為次門檻電流（sub-threshold
current）
在 V V 時，MOSFET元件為截止，但因仍有少量的汲極電流，使得
DRAM的應用上本應 GS T
內部儲存的電荷有漏失之虞。
二、在電晶體放大器應用電路中：
何謂電容的米勒效應（Milller effect）？
所產生的米勒電容（Miller capacitance）對電路造成何種影響？
【擬答】：
如圖所示：
若有電容 C接於輸入與輸出之間，此一電容會產生米勒效應。
在高額電路中，經過 Miller效應產生的CM 1 與CM 2 分別為：
C(1 K) C
M 1
1
CM 2 (1 ) C
K
因此容抗降低，放大器的增益亦會下降。
三、請問BiCMOS電路有何優點？
【擬答】：
結合CMOS高輸入阻抗與低功率損耗之優點
結合BJT高驅動電流與高速之特性
可以直接驅動其他邏輯族
不受負載電容與電阻性負載之影響
四、何謂爾利效應（Early effect），以及其對電晶體所產生之影響，請簡述之。
【擬答】：
電晶體操作於作用區時，集極接面為逆向偏壓，若逆向偏壓愈大則基極的有效寬度將變小，
而使集極電流（I C ）增加，稱為爾利（Early）效應。主要之影響有三：
值將隨 VCB的增加而變大。
基極區的少數載子濃度會隨距離量變化而增加。
一旦基極的有效寬度為零，會產生穿透（punch-through）現象
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公職王歷屆試題 (97 台電新進職員甄試)
五、霍爾效應（Hall effect）在半導體應用上，可測得什麼？
【擬答】：可測得下列參數：
N型或P型半導體
載子濃度
載子移動率
電阻率
貳、計算題：
一、圖1顯示二極體電路及輸入波型，其中二極體之切入電壓0.7V ，內阻r 0 ；
r f
請畫出輸出波型
請畫出輸出入電壓的轉換特性圖
假設輸入 4V時，請求得電流 i 大小？
I Ri
（圖1）
【擬答】：
V 5.4V 時， D順偏， D逆偏，則 V
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