实验二:RAM实验.pptVIP

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实验二:RAM实验

实验二 存储器(RAM)实验 实验目的: 学习存储器原理,掌握在PC 机上扩充静态RAM的方法。 实验接线: 参见实验指导书第7页. 问题: 如何判断扩展的存储器能否使用呢 ? 编程: 相关指令: MOV ES:[BX],DL ;存指令 MOV DL,ES:[BX] ;取指令 实验程序: START:MOV AX,DATA MOV DS,AX ; 段寄存器初始化 MOV AX,STACK MOV SP,TOP ;置栈指针 MOV AX,0A000H MOV ES,AX ;送扩展存储器段地址 MOV BX,0000H ;送存储器偏移地址 MOV CX,100H ;送存储字符个数 MOV DL,40H MOV AH,01H ;等待键盘输入任意 INT 21H ; 键。 MOV AX,0A000H ; MOV ES,AX ;送扩展存储器段地址 MOV BX,0000H ;送存储器偏移地址 MOV CX,0100H ;送显示字符个数 REP2: MOV DL,ES:[BX] ;取字符 MOV AH,02H ; INT 21H ;显示字符 INC BX ;给出下一字符地址 LOOP REP2 ;未显示完,则继续 用DEBUG软件中的填充命令F,显示命令D查看存储器地址重叠的情况. 填充命令的使用: 例1: -FA000:0010 L5 ‘A’ 填充长度 例2:-FA000:0010 15 ‘A’ 实验注意事项: 1。联想机 地址A000H 改为D000H 2。启动DOS方式时不要由WIN-程序—MSDOS-进入。而应 –开始—关闭---重启到MSDOS---进入。 3。在DEBUG中指令 MOV ES:[BX],DL 显示为两行 ES: MOV [BX],DL 单步执行时,指令指针应指向ES: 4。填允命令F 结束地址应大于起始地址。 * * 华北电力大学 自动化系 热控实验室 静态随机存储器6116芯片 图一: DIP封装24脚 (2K 8位) 图二: RAM实验电路 0 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12 RAM6116 A10--------------A0 - G - W 18 CE D7—D0 B7--B0 74LS245 S / R MEMR MEMW D7---D0 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 1 0 1 0 0 0 0 0 A 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 A 0 0 0 : 0 0 0 0—0 7 F F A 0 0 0 :0 8 0 0---0 F F F J2 J3 J4 2 1 2 1 ce 0 0 图三: 三态门逻辑符号74LS245 1 2 8 20 19 18 11 S / R A0 A7 B0 B7 接数据总线 接 RAM 芯片 片选信号CE Vcc 程序框图: 初始化 写英文字符 读英文字符并显示 结束 初 始 化 REP1: I NC DL MOV ES : [BX],DL ;存数据 I NC BX

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