第五章半导体激光器原理技术总结.ppt

第五章 半导体激光器原理;目录;5.1 半导体中的光发射;光子与物质（电子）的相互作用;(a)、光的受激吸收;3-1-3;(b)、光的自发发射;(c)、光的受激发射;(d)、爱因斯坦关系;得：;结论1：热平衡时不可能产生受激发射为主的光发射，除非必须满足 N2 N1----粒子数反转;5.1.2 半导体中的光发射;pn结能带图与单向导电特性;载流子的复合与发光;载流子（过剩EHP）的复合;复合模型; ★ 电子和空穴的辐射复合;;☆直接带隙半导体中的辐射复合跃迁 间接带隙半导体中的辐射复合跃迁;★ 非辐射复合;★ 过剩载流子的复合时间?e---复合率;;辐射复合率Rr与辐射复合寿命?r;非辐射复合率Rnr与非辐射复合寿命?nr;★ 载流子总复合率R和总寿命?;讨论内量子效率?i;5.2 半导体激光器原理与结构;1、粒子数反转的实现—重掺杂与大的电流注入;2、FP腔与光反馈---纵向模式(纵模）;☆ 纵模的模??间隔— 相邻模式的间隔;3、激光振荡的阈值条件;激光在腔内往返一周;4、激光振荡模式;☆FP-LD纵模选模机理及光谱曲线;如何获得单纵模工作？？;5.2.2 半导体激光器结构与发散角--有源波导中的光波场;FP-LD管芯;5.3 半导体激光器的工作特性;5.3.1 L-I-V特性曲线;光子寿命;微分量子效率;半导体激光器的L-I-V特性曲线;图5.13 LD的P-I特性;实验结果－非球透镜;非球透镜LD;☆ FP-LD的温度特性;5.3.2 模式特性与线宽;1、折射率波导结构;LD的波导结构：2、增益波导结构;光谱线宽;形成光谱半宽△?的原因;体材料与量子阱材料增益的光谱特性;图3.3.14 不同阱宽时的激光发射谱;5.3.3 调制特性;3.4.27;LD封装分布参数的影响;☆调制的光谱特性;5.3.5 噪声特性; 噪声范围： FP-LD：-110~-130dB/Hz DFB-LD: -130~-160dB/Hz 如何减小RIN： 选用RIN小的LD（如折射率导引大大优于增益导引） 增加工作电流可以明显减少RIN 调制频率小于数百兆RIN平坦， 再提高会出现RIN的谐振峰 光纤反射将使RIN增大10~20dB，对RIN要求高的场合 必须使用光隔离器 ;5.3.6 半导体激光器的安全使用;5.4 光源与光纤的耦合;LD与单模光纤的耦合;光纤微透镜及耦合例子;常用半导体激光器指标