微机电系统设计与制造第4章.pptVIP

第四章制造技术MEMS 的 MEMS的制造技术主要包括两类技术：体微加工和表面微加工。这两类加工技术的基本材料都用硅，而加工工艺的基础都是集成电路制造技术。 1.表面微加工技术，来自金属膜的概念。在硅腐蚀的基础上，采用不同薄膜淀积腐蚀方法，在硅片表面形成不同形状的层状微结构。 2. LIGA技术 3.键合工艺，按界面材料的性质，可分为两大类：（1）硅/硅基片的直接键合工艺；（2）硅/硅基片的间接键合 4.1. 体微加工 硅的体微加工技术包含硅的湿法和干法技术，硅刻蚀自终止技术、LIGA技术、以及DEM技术。 第四章制造技术MEMS 的 4.1.1. 蚀的湿法技术 硅刻腐 EMS中的体微加工的硅体刻蚀湿法技术原理介绍如下： 硅表面上的点便作为随机分布的局部区域的阳极与阴 极。由于这些局部区域化电解电池的作用，硅表面发 生了氧化反应并引起相当大的腐蚀电流，一般超过100A/cm2。硅表面的缺陷、腐蚀液的温度、腐蚀液 所含的杂质、腐蚀时扰动方式以及硅腐蚀液界面的吸附过程等因素对刻蚀速度以及刻蚀结构的质量都有很大的影响。 用于这种化学腐蚀的化学试剂很多，常用的有HF-HNO3(氢氟酸-硝酸)腐蚀系统（各向同性腐蚀），  第四章制造技术MEMS 的 KOH、EDP腐蚀系统（各向异性腐蚀）。 对于HF-HNO3和H2O（或CH3COOH 乙酸）腐蚀系统，硅 腐蚀的机理是，首先硅表面的阳极反应为 Si+2h+ Si2+ (4-1) 这里h+表示空穴即Si得到空穴后原来的状态升至较高的氧化态。腐蚀液中的水解离发生下述反应： H2O=(OH)-+H+ (4-2) Si+与（OH）结合为： Si2+2(OH)- Si(OH)2 (4-3) 接着Si(OH)2放出H2并形成SiO2，即 Si(OH)2 SiO2+ H2 (4-4) 由于腐蚀液中存在HF，所以O2立即与HF反应，反应式为 SiO2+6HF H2SiF6+2 H2O (4-5) 早期研究结果表明，对于KOH（氢氧化钾）、H2O和（CH3）2CHOH（异丙醇，即IPA）腐蚀系统，硅的 腐蚀机理的反应式如下： KOH+ H2O=K++2OH-+H+ (4-6) Si+2OH-+4 H2O Si(OH)2- (4-7) 即首先将硅氧化成含水的硅化合物，结合反应如下式 表示： (4-8) 络合物 络合物 由上述反应方程可知，首先KOH将硅氧化成含水 的硅化合物，然后与异丙醇反应，形成可溶解的硅， 这样络合物不断离开硅的表面。水的作用是为氧化 过程提供OH-。 硅无论是在HF-HNO3腐蚀系统中，还是在KOH腐 蚀系统中，其腐蚀过程既可受反应速率限制，也可受 扩散限制 . 如果腐蚀取决于化学反应速率，这种过程称为反应速 率限制。如果腐蚀剂通过扩散转移到硅片表面的则称 为扩散限制。与反应速率限制过程相比，扩散限制过 程活化能较低，所以它对温度变化较为敏感.如果在 腐蚀过程中腐蚀条件发生变化，例如温度和腐蚀液的 化学成分发生变化，将会改变速率限制 。 整个过程决定单晶腐蚀的其他因素包括：晶体取向、导 电类型、掺杂原子浓度、晶格损伤以及表面结构。 如果在单晶硅各个方向上的腐蚀速率是均匀的称为各 向同性刻蚀，而腐蚀速率取决于晶体取向的则称为各向 异性腐蚀。在一定的条件下腐蚀具有一定的方向跃居第 一，是硅单晶片腐蚀过程中的重要特征之一。 4.1.2 硅体的各向同性刻蚀 硅体的各向同性刻蚀在MEMS制造中有着极为广泛的 应用.而硅的各向同性腐蚀最常用的腐蚀液为HF- HNO3加水或者乙酸系统(通常称为HNA系统) HNA系统中，其腐蚀机理：硝酸硅发生