高温超导材料概要.pptxVIP

高 温 超 导 材 料 高温超导材料 研究背景 基本性质 制备工艺 应用领域 发展前景 1911年，荷兰物理学家昂纳斯发现汞的直流电阻在4.2K时突然消失，首次观察到超导电性。 研究背景 1986年1月，瑞士物理学家卡尔·亚历克斯·米勒和他的德国合作者约翰尼斯·格奥尔·贝德诺尔茨宣布，他们发现了一种不寻常的高转变材料，这种陶瓷氧化金属材料在一定的温度下(-196℃)就会失去电子阻力达到超导状态。米勒和贝德诺尔茨因此获得了诺贝尔物理学奖。 高温超导的出现，使国内外顿时掀起了一场前所未有的“超导热” 定义 超导材料，是指具有在一定的低温条件下呈现出电阻等于零以及排斥磁力线的性质的材料。现已发现有28种元素和几千种合金和化合物可以成为超导体。 外磁场为零时超导材料由正常态转变为超导态(或相反)的温度，以Tc表示。Tc值因材料不同而异。已测得超导材料的最低Tc是钨，为0.012K。到1987年，临界温度最高值已提高到100K左右。 具有高临界转变温度(Tc)能在液氮温度条件下工作的超导材料。因主要是氧化物材料，故又称高温氧化物超导材料。 超导材料的基本性质 （1）零电阻效应 图1.1 电阻率ρ与温度T的关系 1－纯金属晶体 2－含杂质和缺陷的金属晶体 3－超导体 正常态—温度高于Tc的状态； 超导态—温度低于Tc的状态。 超导材料 （2）迈斯纳效应（完全抗磁性） 只要超导体材料的温度低于临界温度而进入超导态后，超导材料就会将磁力线完全排斥于体外，因此，其体积内的磁感应强度总为零，这种现象称为“迈斯纳效应” 图1.2 迈斯纳效应 超导材料的基本性质 超导材料 （3）同位素效应 同位素的质量越大，转变温度越低。例如，原子量为199.55的汞同位素，它的Tc是4.18K，而原子量为203.4的汞同位素，Tc为4.146K。 材料由正常态转变到超导态，其晶体结构不变，而同位素的差别主要在于原子核的质量。因此，超导材料中的同位素效应表明了传导电子与晶格振动的相互作用是很重要的问题，该效应为探明超导转变的微观机制提供了一条重要线索。通常我们也可以用同位素效应来鉴别材料的超导电性。 超导材料的基本性质 高温超导材料的制备工艺 脉冲激光沉积法 脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition，PLD），也被称为脉冲激光烧蚀（pulsed laser ablation，PLA），是一种利用激光对物体进行轰击，然后将轰击出来的物质沉淀在不同的衬底上，得到沉淀或者薄膜的一种手段。 　PLD一般可以分为以下四个阶段： 激光辐射与靶的相互作用 　　 熔化物质的动态 　　 熔化物质在基片的沉积 　　 薄膜在基片表面的成核（nucleation）与生成 　 气相法(薄膜) 脉冲激光沉积(PLD) PLD特点： 1.易获得期望化学计量比的多组分薄膜，即具有良好的保成分性； 　　 2. 沉积速率高，试验周期短，衬底温度要求低，制备的薄膜均匀； 　　 3. 工艺参数任意调节，对靶材的种类没有限制； 　　 4. 发展潜力巨大，具有极大的兼容性； 　　 5. 便于清洁处理，可以制备多种薄膜材料。 金属有机物化学气相沉积法（MOCVD） 一种利用有机金属热分解反应进行气相外延生长薄膜的化学气相沉积技术。 该方法现在主要用于化合物半导体的气相生长上。用该法制备薄膜时，作为含有化合物半导体元素的原料化合物，必须满足常温稳定且易处理，在室温附近有适当的蒸气压，反应的副产物不应妨碍晶体生长，不应污染生长层等条件。 该方法也存在一些缺点：难以进行原位监测生长过程，许多有机金属化合物蒸气有毒、易燃；反应温度低，因此有时在气相中就发生反应。 分子束外延法（MBE） 分子束外延是种物理沉积单晶薄膜方法。在超高真空腔内，源材料通过高温蒸发、辉光放电离子化、气体裂解，电子束加热蒸发等方法，产生分子束流。入射分子束与衬底交换能量后，经表面吸附、迁移、成核、生长成膜。分子束外延是一种新的晶体生长技术，简记为MBE。 分子束外延的优点就是能够制备超薄层的半导体材料；外延材料表面形貌好，而且面积较大均匀性较好；可以制成不同掺杂剂或不同成份的多层结构；外延生长的温度较低，有利于提高外延层的纯度和完整性；利用各种元素的粘附系数的差别，可制成化学配比较好的化合物半导体薄膜 陶瓷超导材料的制备工艺介绍——固相法、液相法和气相法 高温超导材料的应用领域 高温超导材料发展前景 谢谢！