02.2第二节半导体中的电子运动规律汇编.pptxVIP

第二章 微电子学的物理基础 晶体结构 半导体中的电子运动规律 半导体中的载流子 载流子的输运现象 非平衡态半导体 PN结物理基础 半导体接触现象 2 第二节：半导体中电子运动规律 2.1 电子运动状态的描述 2.2 能带理论 2.3 状态密度函数 2.4 统计力学 3 基于牛顿定律的经典物理学理论 4 量子力学理论 半导体物理学的基础 5 量子力学基本原理 能量量子化 波粒二相性 不确定性原理 6 Schrödinger (1887-1961), Austrian He obtained the Nobel Prize of Physics in 1933 for his contributions to quantum mechanics, especially the Schrödinger equation. 薛定谔波动方程 1926 年薛定谔结合普朗克的量子化原理以及德布罗意的波粒二相性原理，提出一种称为波动力学的理论，其核心为薛定谔波动方程。 7 电子在不同环境下的运动状态 自由空间的电子 一维无限深势阱中的电子 单电子原子中的电子 晶格中的电子 8 其中：k为波矢 方程的解为： 方程简化为： 波矢k具有量子数的作用，可以标志电子运动状态 沿+x方向传播的平面波 1.自由空间的电子 9 自由粒子的E-k关系为抛物曲线 自由电子能量 自由电子动量 E-K关系 1.自由空间的电子 平面波的形式 10 2.一维无限深势阱 n = 1，  2，  3 … 11 能量的量子化 粒子在处于被束缚的状态下，其能量只能是特定的分立值，即能量的量子化。 12 n =1，2，3 … r： l = n-1，n-2， n-3 …，0 ： m =  l ，(l -1)，(l -2)，(l -3) …，0 ： 量子数： 由量子数引入量子态的概念 主量子数 角量子数 磁量子数 s 自旋量子数 第四个量子数 3.单电子原子 13 主量子数 n 束缚态电子能级的量子化 量子数n对应不同的电子能量 14 支壳层 1 0 2 0 1 3 0 1 2 4 0 1 2 3 s s p s p d s p d f K L M N 主壳层 0 0 1, 0 0 1, 0  2, 1, 0 0 1, 0  2, 1, 0  3,  2, 1, 0 简并度数 2l+1 1 1 3 1 3 5 1 3 5 7 电子自旋效应 2 2 6 2 6 10 2 6 10 14 可容纳电子数 2 8 18 32 n l m s 量子数与原子结构 15 元素周期表的初始部分 16 4.晶体中的电子 特点： 1.晶体是由大量原子规则排列组成。 2. 电子轨道重叠 3. 电子共有化运动 晶体中做共有化运动的电子的能量状态是怎样的？ 17 两个氢原子 氢原子电子云概率密度函数 彼此靠近的两个氢原子 18 能级的分裂 两个靠近的氢原子 19 允带与禁带 外壳层交叠最大，价电子之间作用最强，能带展宽越明显。 内壳层交叠小，价电子之间作用较弱，能带较窄。 允带 禁带 20 元素周期表的初始部分 21 Si的原子结构 外壳层四个价电子：两个位于3s能级；两个位于3p能级 22 Si晶体的能带形成 N个Si原子距离较远时，和孤立的Si原子中电子的运动状态相同。 随着间距减小，外壳层电子波函数交叠， s和p能级分裂，分别形成能带。 间距继续减小，s、p能带重叠，形成sp3杂化电子态。 当达到晶格常数时，能带有分裂成两个能带，他们之间被能量间隙隔开。 导带 价带 禁带宽度 满带 空带 禁带宽度 23 Si晶体的能带形成 N个Si原子距离较远时，和孤立的Si原子中电子的运动状态相同。 随着间距减小，外壳层电子波函数交叠， s和p能级分裂，分别形成能带。 间距继续减小，s、p能带重叠，形成sp3杂化电子态。 当达到晶格常数时，能带有分裂成两个能带，他们之间被能量间隙隔开。 导带 价带 禁带宽度 满带 空带 禁带宽度 24 2.1 电子运动状态的描述 2.2 能带理论 2.3 状态密度函数 2.4 统计力学 第二节：半导体中电子运动规律 25 Si晶体的能带形成 26 允带 禁带 允带 允带 禁带 禁带 一维晶体的能带结构 27 2.2-1 空间能带图的表示 Ec Ev E x 空间位置 能量 28 导带 价带 Eg 此时共价键完整无缺，价带被电子完全填满，导带完全空置。 价电子被紧密地束缚在共价键中不能在晶体中自由运动。 在外电场下没有电流。 T = 0 K 2.2-2 电子和空穴 完整单晶Si 29 导带 价带 Eg 完整单晶Si T 0 K 2.2-2 电子和空穴 少数电子从晶格振动中获得