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第2章 全控型电力电子器件 全控型电力电子器件 典型代表 电力晶体管 门极可关断晶闸管 电力场效应晶体管 绝缘栅双极晶体管 具体分类： 按开关控制性能分：不控、半控、全控 按驱动信号类型分：电流驱动、电压驱动 按载流子参与导电分类：单极、双极、复合型 2.4.3 电力场效应晶体管 电力场效应晶体管－Power MOSFET Metal Oxide Semiconductor FET Field Effect Transistor 特点—单极型压控器件，用栅极电压来控制漏极电流 驱动电路简单，需要的驱动功率小 开关速度快，工作频率高 热稳定性优于GTR，不存在二次击穿 电流容量小，耐压低，一般多用于功率不超过10kW的电力电子装置 1）电力MOSFET的结构和工作原理 符号如图 所示 三个电极： 栅极 Gate 源极 Source 漏极 Drain 工作原理 导通过程：在栅源极间加正电压UGS，出现导电沟道，形成漏极到源极的电流ID； 关断过程：在栅源极间加反向电压，UGS0，导电沟道消失。 2)电力MOSFET的基本特征－输出特性 2)电力MOSFET的基本特征 1 UGSUGS(th) 2通态电阻具有正温度系数，不存在二次击穿 3）动态特性 开通时间ton＝延迟时间td ＋电流上升时间tri ＋电压下降时间tfv 关断时间toff＝存储时间ts ＋电压上升时间trv ＋电流下降时间tfi MOSFET的开关速度 MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速 开关时间在10~100ns之间，工作频率是主要电力电子器件中最高的；双极型器件开关时间在微秒级； 场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。 开关频率越高，所需要的驱动功率越大。 小结 GTR和GTO的特点 优点：双极型，电流驱动，通流能力很强 不足：开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。 MOSFET的特点 优点：单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小，而且驱动电路简单。 不足：电压电流等级低。 最好是两者优点相结合。 2.2.4.4 绝缘栅双极晶体管 绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor—IGBT）GTR和MOSFET复合，结合二者的优点。 1986年投入市场，是中小功率电力电子设备的主导器件。 继续提高电压和电流容量。 2.2.4.4 绝缘栅双极晶体管 1) IGBT的结构和工作原理——N沟道IGBT 简化等效电路表明，IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿结构，一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。 三端器件：栅极G、集电极C和发射极E 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 驱动原理与电力MOSFET基本相同， 场控器件，通断由栅射极电压uGE决定。 导通：uGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。 通态压降：电导调制效应使电阻RN减小，使通态压降减小。 关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 2) IGBT的基本特性 (1)?IGBT的静态特性 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 IGBT的开通过程?????? 与MOSFET的相似 开通延迟时间td(on) 电流上升时间tr 开通时间ton uCE的下降过程分为tfv1和tfv2两段。 tfv1——IGBT中MOSFET单独工作的电压下降过程； tfv2——MOSFET和PNP晶体管同时工作的电压下降过程。 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 关断延迟时间td(off） 电流下降时间 关断时间toff 电流下降时间又可分为tfi1和tfi2两段。 tfi1——IGBT器件内部的MOSFET的关断过程，iC下降较快。 tfi2——IGBT内部的PNP晶体管的关断过程，iC下降较慢。 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 3) IGBT的主要参数 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 5) IGBT的安全工作区 IGBT模块结构 IGBT模块结构 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 6）IGBT的栅极驱动电路 （1）对驱动电路的要求 适当的正反向电压 ＋12～＋15V，-5～-10V 适当的开关时间 快：提高开关频率，减小开关损耗；但易产生高的尖峰电压Ldic/dt 开通后应提供足够的电压、电流幅值 栅极电阻RG 适当选择 大：有利于限制IGBT的电流上升率和电压上升率，但会增加开关时间和开