掺杂原子对大直径直拉硅单晶中空洞型微缺陷的影响论文.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 掺杂原子对大直径直拉硅单晶中空洞型微 缺陷的影响 郝秋艳刘彩池张建强张建峰 河北工业大学材料学院信息功能材料研究所，天津，300130 摘要： 本论文研究了掺杂剂原子种类对大直径直拉硅单晶中空洞型微缺陷密度的影 响，实验结果发现，当硅单晶中掺入半径较大的原子会导致空位密度增加，进而提高空洞 型微缺陷的密度，反之，当硅单晶中掺入半径较小的原子会降低空洞型微缺陷的密度。 关键词： 大直径直拉硅单晶 空洞型微缺陷空位快速热处理 1．引言 随着集成电路的飞速发展，对ULSI用硅片质量提出了越来越严格的要求。归纳起来 就是要求硅片的晶格缺陷更少以及对器件有害的杂质含量更低。研究表明，缺陷的尺寸在 ULSI特征线宽的1／3以上时，就成为致命的缺陷，会导致器件失效。随着集成电路线宽的 减小，栅氧化层缺陷越来越成为严重的问题，因为它们降低了大规模集成电路的成品率和 稳定性，使漏电流、击穿电压等特性变坏。而引起栅氧化层缺陷的主要原因是大直径直拉 硅单晶中的空洞型(Void)缺陷，这些Void缺陷包