电工及电子技术第一章 常用半导体器件.pptVIP

模拟部分 数字部分 模拟电子技术 第一章 常用半导体器件 第二章 基本放大电路 第三章 集成运算放大器及其应用 第四章 直流稳压电源 第一章 常用半导体器件 第一节 PN结及其单向导电性 第二节 半导体二极管 第三节 特殊二极管 第四节 晶体管 例题 第一节 PN结及其单向导电性 半导体基本知识 PN结 第二节 半导体二极管 半导体二极管的伏安特性 半导体二极管的主要参数 第三节 特殊二极管 稳压管 第四节 晶体管 晶体管的基本结构和类型 晶体管的电流分配和放大原理 晶体管的特性曲线 晶体管的主要参数 温度对晶体管的影响 * * 返回 作业 一、半导体的导电特点 1.半导体材料 物质分为导体、半导体、绝缘体，半导体是4价元素。 半导体材料的特点： 半导体的导电能力受光和热影响 T°↑ 导电能力↑ 光照↑导电能力 ↑ 纯净的半导体掺入杂质导电性会大大增强。 +4 纯净的、具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 本征半导体中的载流子 自由电子 (－) 空 穴 （+） 2. 本征半导体 空穴与电子成对出现并可以复合。 * 空穴的移动 3. 杂质半导体 N型半导体 掺五价元素，如磷，自由电子数多于空穴数，自由电子数是多子。 P型半导体 掺三价元素，如硼， 空穴数多于自由电子数，空穴是多子。 4．扩散电流与漂移电流 载流子由于浓度差异而形成运动所产生的电流叫扩散电流。 在电场作用下，载流子定向运动而形成的电流叫漂移电流。 N型半导体 磷原子 硅原子 + N型硅表示 Si P Si Si 硅或锗 +少量磷? N型半导体 多余电子 空穴 P型半导体 硼原子 P型硅表示 Si Si Si B 硅原子 空穴被认为带一个单位的正电荷，并且可以移动 硅或锗 +少量硼? P型半导体 多余空穴 1. PN结的形成 二、? PN结 扩散运动 空间电荷区 削弱内电场 漂移运动 内电场 动态平衡 － － － － － － － － － － － － － － － － P 内电场 电荷区空间 扩散运动 漂移运动 N 外电场方向与内电场方向相反 空间电荷区(耗尽层)变薄 扩散＞漂移 导通电流很大 ,呈低阻态 2. PN结的单向导电性 － － － － － － － － － － － － － － － － P N 内电场 外电场 加正向电压（正偏） P（+） N（－） 外电场与内电场相同 耗尽层加厚 漂移＞扩散 形成反向电流IR，很小。呈高阻态 N － － － － － － － － － － － － － － － － P 内电场 外电场 加反向电压（反偏）P（－） N（+） PN结正偏，导通；PN结反偏，截止 一、半导体二极管的伏安特性 + P区－－阳极 N区－－阴极 阳极 阴极 1. 正向特性 死区电压 硅管 0.5V 锗管 0.1V 正向导通电压 硅管 0.7V 锗管 0.3V i (mA) u (V) 反向击穿电压 死区 Ge Si 2.? 反向特性 反向饱和电流很小，可视为开路， 反向电压过高，电流急增，二极管发生击穿。 导通电压 VD 二、半导体二极管的主要参数 1. 最大整流电流 IF 二极管允许通过的最大正向平均电流。 2. 最高反向工作电压 URM 保证二极管不被击穿允许加的最大反向电压。 3. 最大反向饱和电流 IR 室温下，二极管加最高反向电压时的反向电流，与温度有关。 例：如图，当E＝5V时， IV＝5mA，则 E=10V，IV＝（ ） Ａ. Ｉ＝１０mA Ｂ. Ｉ１０mA Ｃ. Ｉ＜１０mA Ｄ. 不确定 E VD IV B 例：如图，E＝5V，二极管正向压降忽略不计，画出 uo波形。 E VD ui uO 10 ui (V) ωt ui E VD截止 uo =E ui E VD导通 uo = ui 5 uO ωt 5 利用二极