北京中级职称考试电气专业基础与实务必做练习.doc

电气工程师复习题 一、判断题 ．直流电的电压方向定，但是电压幅值可以是时间的函数。（(） ．交流电的幅值是时间的函数。（(） ．电阻对通过它的电流有阻碍作用，是一种耗能元件。（(）．(） 5．电阻的大小与电阻体的材料、横截面积和电阻体的长度有关。（(） 6．电阻器的阻值与使用环境温度无关。（(） (） 8．电容器的耐电压值与所用绝缘材料的性质有关。（(） 9．使用中的电容器有串联、并联和混联等连接方式。（(） 10．恒压源的内阻越小越好，恒流源的内阻越大越好。（(）（题目不好。恒压源的内阻为零；恒流源的内阻为无限大。） 11．通过电容器的交流电流相位超前电压相位90(。（(） 12．电容器允许直流电流通过，而不允许交流电流通过。(） 13．在电路中，电容器对于直流有充电、放电效应。（(） 14．电容器对通过它的交流电有阻碍作用，是一种耗能元件。(） 15．电容器具有储存电能的功能(） 16．电容器对通过它的交流电的阻碍能力常用容抗表示。（(） (） 18．与电气元件串联的电容器有隔直作用。（(） 19．电感器具有储存电能的功能。(） 20．电感器有储存电能的作用，楞次定律不适用于电感器。（(） 21．电感器上的电流和电压可以突变。（(） 22．电感器和电容器在电路中有储存电能的作用。（(） 23．电感器对通过它的交流电有阻碍作用，属于耗能元件。（(） 24．电感器具有储存电能的功能，这种磁能存储能力和电感器的电感量大小有关。（(） ．通过电感器的交流电流相位超前交流电压相位90(。(） 26．电感器和电容器都是储能元器件。（(） ．电感器或电容器的等效串联电阻是它们耗能的主要原因。（(）(） 29．复数阻抗含有实部和虚部，实部表示电阻，虚部表示电抗(） 30．复数阻抗含有相位角。（(）(） 32．直流电桥可以用交流电供电。（(） 33．利用RC元件可以构成正弦振荡电路。（(） 34．有功功率P表征元件消耗能量的特性无功功率Q表征元件储存能量的特性。（(） ．软磁性材料、硬磁性材料在使用过程中在磁路中加空气间隙是为了提高磁性材料在使用过程中的抗磁饱和能力。（(）．软磁性材料的剩磁很强，而硬磁性材料的剩磁很弱。（(） 软磁性材料(） 38．磁路磁阻与磁路长度、磁性材料、磁路横截面积有关。(） 39．半导体PN结不具有单相导电性。（(） 40．半导体中载流子是电子。（） 41．MOSFET场效应晶体管的输入阻抗比双极性晶体管的输入阻抗低。（(） 42．可控硅的通电流能力不高。（(） 43．场效应晶体管（FET）是电流驱动控制元件。（(） 44．半导体二极管的PN结电压温度无关。(） 45．半导体三极管分主要锗三极管和硅三极管。（(） ．在P型半导体中，空穴的数量大大超过自由电子；在N型半导体中，自由电子的数量大大超过空穴。（(） ．双极型半导体三极管是一种电流控制器件。（(） ．共发射极放大电路具有电压放大倍数高、电流放大倍数高和功率增益大的特点。(） 49．通频带是谐振电路一项很重要的技术指标。（(） 50．场效应晶体管(FET)是电流驱动控制器件，具有所需驱动功率小的特点。(） 51．场效应晶体管（FET）为电压控制器件，场效应晶体管（FET）的输入阻抗较普通双极型三极管的输入阻抗要高很多，并且高频工作特性也要好许多。（(） (） 53．双极型三极管为电压控制器件，而场效应晶体管（FET）为电流控制器件。（(） (） 55．运算放大器的闭环放大倍数与运算放大器的开环放大倍数有关与闭环电路外围元件的参数无关（） ．构成振荡电路无须加正反馈回路。(） 57．构成振荡电路不需要加正反馈回路。(） 58．电感器和电容器是组成LC谐振电路的重要元件，构成振荡电路必须加正反馈回路。（(） ．Q值是LC谐振电路的一项重要技术指标。(） 60．石英晶体振荡器的Q值比LC谐振电路的Q值高很多。（(） 70．石英晶体振荡器的Q值比比谐振电路的Q值高很多，所以石英晶体振荡器的振荡频率稳定性要比比谐振电路的振荡频率稳定性高很多。(） 71．Q值是表示储能元器件（例如电感器或电容器）耗能特性的一个技术指标，Q值越高，则表示储能元器件的耗能越小。（(）(？） 73．CRC（循环冗余校验(） 74．数字取样信号频率的高低和取样生成的数据量大小有关。（(） (） 76．补码是表示数的正、负的专用码符，位于二进制数最高位的前面。“0”表示正数，“1”表示负数。与十进制+37对应的码（(） 77．奇偶校验是一种简单的检验数据在传输过程中有无数据位出错的方法，但是纠错检错能力限。（(） ．CRC校验（循环冗余差错校验）是检验数据在传输过程中有无数据位出错的常用方法，实用中得到了广泛的应用。（(） （(）组合逻辑电路无记忆功能，输出状态仅与现输入状