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- 2017-06-23 发布于广东
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材料及器件
2006
改性硅基薄膜材料的系统研究
熊绍珍。李娟,张晓丹,赵颖,吴春亚,孟志国
南开大学光电子所。天津,300071
天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071
张芳
科技部高技术研究发展中心,北京。100044
件结构乃至工艺控制,有较为明晰的认识。愿就此类材料用
摘要
于TFT研究中的可能性问题予以探讨,以为我们国家的显示
本文在超高频PECVD系统中对一种新颖的改性硅基薄膜材料
工业界向高稳定的硅基TFT应用,作些许贡献。
的沉积进行了详细研究。发现这种硅基薄膜可在与非晶硅完
全相同的沉积系统中,仅需改变反应气源的比例及某些沉积
二、硅基薄膜的结构特征:
条件即可方便得到。我们可以通过协调控制若干条件,如反
应气压、功率或衬底温度,可以获得从非晶硅、纳米硅以及 除了由高温制备的单晶硅和多晶硅之外,所有的薄膜型
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