CVD法制备硅硼碳氮陶瓷的化学反应热力学研究-现代技术陶瓷.PDF

第37 卷 第4 期 现 代 技 术 陶 瓷 Vol. 37 No. 4 2016 年8 月 Advanced Ceramics August 2016 中图分类号： O642 文献编号： 1005-1198 (2016) 04-0290-06 文献标识码： A DOI ： 10.16253/ki.37-1226/tq.2016.06.006 CVD 法制备硅硼碳氮陶瓷的化学反应热力学研究 1,2 1 1 任海涛 ，刘家臣 ，郭安然 1 天津大学 先进陶瓷加工技术教育部重点实验室，天津300072 2 西北工业大学 超高温结构复合材料重点实验室，西安710072 摘 要：本文针对制备SiBCN 陶瓷所用的SiCl CH –BCl –NH –H 体系，基于已建立的热 3 3 3 3 2 化学数据库，根据化学平衡原理，确定了不同工艺参数下各反应体系中一些重要产物的平衡产 量分布，给出了相应体系的固相产物分布规律，为实验研究提供可靠的理论参考。 关键词：硅硼碳氮陶瓷；CVD ；热力学计算 化学气相沉积 (Chemical Vapor Deposition ，CVD) 是上世纪60 年代发展起来的制备无机材料的 新技术，它是在一定温度下通过一种或几种气体在固体表面进行化学反应 (包括分解反应、化合反 应、化学输运反应等) ，在该固体表面生成固态沉积物的过程。如果固体是多孔材料，沉积也可以发 生在固体的内部表面，这种沉积过程一般称为化学气相渗透 (Chemical Vapor Infiltration ，CVI) 。CVD 具有以下突出优点[1-3] ：(1) 实用性强，能在较低温度下 (900C ~ 1100C) 制备出熔点高达3000C 的陶瓷材料，如碳化物、氮化物、硼化物等，这是传统粉末冶金和陶瓷烧结技术都难以达到的；(2) 对 基底几乎没有损伤，保证了材料结构的完整性；(3) 工艺灵活，能通过控制 CVD 工艺参数来控制 沉积产物的晶体结构、表面形貌和晶体取向等；(4)能在复杂形状构件上制备均匀涂层。 采用CVD 方法制备无机材料的反应过程涉及到的化学反应十分复杂，理解和掌握这些反应的机 理对于先驱体的选择、反应器的设计、工艺参数的优化以及材料的微观尺度设计都有极其重要的意 义。对于一个新的CVD 体系，一般需要先进行反应热力学分析，根据化学平衡原理，即化学势 (吉 布斯自由能) 最小化原理，计算在不同工艺参数 (温度、压力及进气比) 下一些重要产物尤其是固相 产物的平衡产量分布，用来预测平衡条件下工艺参数对体系CVD 产物类型与产量的影响。对于非动 力学控制的过程，热力学分析可以定量描述沉积产物组成，有助于优化沉积条件和了解沉积机制。 通过热力学计算，绘制不同工艺参数下产物相图可为实验研究提供参考和依据。在热力学可能的范  收稿日期： 20160615 收到修改稿日期：20160618 基金项目： 国家自然科学基金 。 通讯作者： 任海涛 (1982 ), 男, 河北保定人, 博士后。E-mail: renht0929@163.com 。 第4 期 《现代技术陶瓷》 Advanced Ceramics, 2016, 37 (4): 290295  291  围内进行实验，可有效减少实验数量，缩短实验周期和降低实验成本。 本文针对制备 SiBCN 陶瓷的SiCl CH –BCl –NH –H