MOS和BJT功率器件-Silvaco.PDF

Giga 二维非等温器件仿真器 Giga可与S-Pisces 和Blaze器件仿真器结合使用， 仿真自热效应。Giga中的模型包括发热、热流、晶格加热、热沉和物 理常数上的局部温度效应等模型。热学和电学物理效应通过自恰计算耦合。Giga是ATLAS器件仿真系统中一个完全集成的组 件。 Giga为那些使用金属氧化物半导体（MOS）、双极结晶体管（BJT）以及混合MOS-BJT 技术制造的功率器件提供了理想的设计 和优化环境。它还可应用于静电放电(ESD)保护的特性表征、异质结双极结晶体管（HBT）、高电子迁移率晶体管（HEMT）和 绝缘硅（SOI）器件的设计、热失败分析和热沉设计等。 MOS和BJT功率器件 Giga具有研究、设计和优化功率器件的能力。它可仿真可测量的电学特性，以及温度相关器件的内部条件，从而使用户深 入了解器件行为。在工艺开发周期的早期即可识别可能失败机制。 该图显示了横向双扩散金属 闩锁状态下的器件热点位置和电 氧化物半导体（DMOS）晶体 流分布 管中的温度分布，以及漂移 区内的热点（hot spot）位 置。 Giga被用来在高电流操 作时寻找局部加热位置和估 算局部加热效应。 直流闩锁特性曲线图，图中显示了利 用ATLAS的内置自动曲线追踪程序计算 出的栅极电压 SOI器件仿真 由于埋层氧化物的低导热性，使得SOI（Silicon-on-insulator）器件 的非等温效应尤为重要。对SOI器件的漏极电流特性、扭结效应（kink effect)和击穿行为的精确仿真都需要用到非等温计算。Giga能对雪崩 产生率的内部分布进行分析，以帮助了解热器件性能效应。 漂移扩散、能量守恒和非 等温能量守恒模型的I/V 仿真 曲线图 SOI MOSFET 内部的温度分布及伴生的硅局部氧化 （LOCOS）隔离。此器件是由ATHENA中的轻掺杂漏极 （LDD：Lightly Doped Drain）工序所定义。 GaAs MESFET中的局部加热 MOS二次击穿 图为击穿时GaAs MESFET中的温度分布。非等温仿真被 要求用以精确表征由低导热衬底材料制成的器件特性 Giga可预测MOSFET中由热决定的二次击穿电压。在相 同条件下，非等温仿真（蓝色）显示了二次击穿，而 等温仿真（红色）则无法显示（如图）。Giga所提供 的直流仿真结果（如二次击穿电压和触发电流）对决 定静电放电（ESD）脉冲容限非常有用。 Silvaco Singapore Pte Ltd 77 Science Park Drive, CINTECH III #03-10 Singapore Science Park I, Singapore 118256 Tel: +65-6872 3674 Fax: