为提高能效和电池利用率，缩减设备尺寸，意法半导体(ST)针对便携.DOC

为提高能效和电池利用率，缩减设备尺寸，意法半导体(ST)针对便携设备新开发出一个完全单片的降压升压转换器。本文详细介绍了新产品的主要特性与性能，重点讲解降压到升压软转换和自动转换的创新体系结构，并于文末列举了几个应用创意。 对于PDA、手持设备和手机来说，电源管理的要素是提高电池使用寿命，同时降低产品的成本、尺寸和重量。然而，这些目标往往是互相抵触的；因为若缩减主要外围器件的成本和尺寸，就需要超高的开关频率，而这又会对应用的能效产生极大的影响。 ??????? 此外，GSM和UMTS手机、GPS导航仪、数码相机、MP3播放器正在扩大所需的负载电压的范围(从0.8V扩展到4V以上)；而且，根据电池放电曲线，电池供电设备(镍氢电池、锂电/聚合体电池)的输入电压范围变化很大。这个时候，利用一个降压升压转换器，可在输入电压的全程范围内调整输出电压，完成这项极具挑战性的任务。 便携式电源首重限流功能和宽幅输入 ??????? ST一款新的降压升压转换器，采用先进的BCD 6(第6代BiCMOS——DMOS)工艺技术设计而成，封装采用超小VFQFPN16 3mm×3mm的封装，内置4个1.5A限流功能的开关。集成的这4个开关(2个N沟道和2个P沟道MOSFET)由于导通电阻很低(0.15Ω)，可最大限度地降低传导损耗，所以外部功率器件只需一个电感器。根据输出电压的大小，该器件可充当一个降压转换器或一个升压转换器；只要合理驱动内置的4个开关，两种操作模式之间就会自动而顺畅地相互转换。 ??????? 它还具有宽广的输入电压范围(2V～5.5V)，特别适合单电锂电池、聚合体电池或多电池的镍氢电池组应用。再者，高度自由运转开关频率也是很重要的，该产品的常态值是1.4MHz，通过外部同步更可提高到2MHz以上。此外，其静态电流极低(60μA)的低功耗工作模式，非常有利于在轻负载条件下保持高能效；而过流保护、过压保护和热关机等更多功能，则为应用可靠性提供更多保障。 ???????????????????? 图1：典型应用电路 图1所示是该器件的典型应用电路，图2是新产品的结构框图。结构框图描述了内部体系结构和产品的工作原理。下面我们将重点创新的工作原理和低功耗模式。 根据输入和输出电压调整操作模式， 改善转换能效 ???????? 实现降压升压转换操作有多种方式；有些转换器采用两个电感器(如SEPIC和串联升压降压转换等)，有些转换器只用一个电感器。只使用一个电感的降压升压解决方案可能采用一个H桥拓扑，如图3所示。在这种体系结构中，VIN和VOUT之间的一般关系如下： 图2：结构框图 (1) 其中： 牋牋牋牋牋牋牋牋牋牋 ，器。只使用一个电感图3：H桥拓扑示意图 TON1和TON2分别表示P沟道MOSFET A和D的导通时间，而T是开关周期。在传统的4开关降压升压转换器中，每个开关周期MOSFET都是在对角线上一组激活。第一路(A-C组)向电感器充电，第二路(B-D组)使电感器的电能传送到输出电容。这种开关驱动方式使D1和D2有以下的关系： ?(3) 合并关系式(1)和(3)，得出以下表达式： (4) 这个关系式只是关系式(1)的特殊情况。关系式(4)的图形表示如图4所示。 图4：传统4开关降压升压转换器的D1和D2 ????????????? 图5：a)降压配置；b)升压配置 这种转换方法有一个显而易见的缺点：即使输入电压高于输出电压时(可使用一个简单的降压转换器)，电流也不能连续地输送到输出电容器，只有当B-D通道开通时才可以。因此，流经电感器(以及开关)的电流总是高于负载电流，其大小由下面的公式得出(纹波电流怱略不计)： ? (5) 本文所述的新器件采用相同的H桥架构，但是驱动开关的方式不同。该器件根据输入和输出电压来调整操作模式，使H桥看起来像一个降压转换器(VINVOUT)或一个升压转换器(VINVOUT) span，如图5所示。 ???????? 至少只要该产品处于降压转换模式((VIN VOUT)，电流就会连续不断地输送到输出电容；只要允许降压转换，这就能带来很大的能效优势。在这个阶段，能效只是比传统的降压转换略低一些(因为在开关D上增加了串联电阻)。这种方法解决了前文讨论的传统四开关降压升压转换器的主要缺点。 ???????? VIN 和VOUT的关系依然是关系式(1)，但是D1和D2的关系式却发生了变化。在理论上，只要VIN高于VOUT(降压转换)，D2应该等于1。D1应该随输入输出电压比而发生变化，当VIN等于VOUT时，达到最大值1(D1 = D2 = 1)。??????????当VIN小于VOUT时，D1应该等于1。D2应该变化，以执行升压转换功能。但是，为了保证两种模式之间的互换顺畅，更好的办法是在D