利用电致发光技术快速测定晶硅太阳电池少子寿命-上海交通大学凝聚.PDF

3期 刘 霄等：利用电致发光技术快速测定晶硅太阳电池少子寿命 495 文章编号：0254-0096 （2014 ）03-0495-05 利用电致发光技术快速测定晶硅太阳电池少子寿命 1 1 2 刘 霄 ，沈文忠 ，王 振 （1.上海交通大学太阳能研究所，上海200240；2.上海欧普泰科技创业有限公司，上海200333） 摘 要：结合理论分析，讨论太阳电池电致发光的影响因素，提出利用电致发光技术来测定晶硅太阳电池的少子 寿命。在完成测试定标后，对比目前普遍使用的微波光电导衰退法，对电致发光法测定单晶和多晶硅少子寿命 进行实验验证。结果表明，电致发光测试方法能够快速、稳定、准确地测定晶硅太阳电池的少子寿命。 关键词：晶硅太阳电池；电致发光；少子寿命 中图分类号：TN307 文献标识码：A 0 引 言 1 EL 测定少子寿命的理论分析 晶硅太阳电池的少子寿命是评估太阳电池的 当太阳电池加正向偏压时，在P-N结势垒区和 ［1］ 重要参数之一 ，少子寿命反映了太阳电池表面和 扩散区注入了少数载流子，这些非平衡少数载流子 ［4］ 基体对光生载流子的复合速度，即反映了光生载流 不断地与多数载流子复合而发光 。将晶硅太阳电 子的利用程度。通过对少子寿命的测量，可明确知 池片简化为厚度为d的理想P-N结，在小注入和突 道晶硅电池的质量情况，从而作为质量监控和工艺 变耗尽层条件下，忽略辐射复合生成光子的重吸 调整的依据，所以少子寿命的准确测量具有重要的 收。此时，光子能量E依赖的P-N结不同位置x处的 ［5,6］ 实际意义。目前普遍应用的少子寿命测试方法有 EL强度I(E,x) 如式（1）。 L 微波光电导衰退法（μ-PCD）、准稳态光电导法 2π 2 E eVf I (E,x)= α(E)E exp(- )exp( )∙ L 3 2 ［2］ hc kT kT （QSS-PC）等 ，这些方法可以非接触地无损测量电 池片的少子寿命，但其设备昂贵，测量时间较长（单 éê exp(- )x exp( )x ùú 片电池面扫描时间3min），无法满足大规模太阳电 êêê Ln + Ln úúú （1） ［3］ ê 2d 2d ú 池生产快速准确测量的要求。电致发光 （EL）成像 ê1-exp(- ) 1-exp( )ú L