半导体材料性质、发展及应用.PDF

半导体材料性质、发展及应用 摘要：半导体具有许多独特的性质，并被用来制成各式各样性能好、体积小、可 靠性高的电子器件。目前，种类繁多，性能各异的半导体器件已广泛地应 用于现代工业，现代科技和现代国防，并已深入到各个家庭之中，所以， 半导体器件的生产、应用水平已成为衡量一个国家现代文化程度的重要标 志。半导体科学技术发展就成为现代科学技术中的重要部分，半导体物理 学也逐渐成为固体物理学中的一支重要分支。 关键词：半导体 种类 性能 应用 正文： 一、半导体简介： 电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质称为半导体：室 温时电阻率约在1m Ω·cm～1G Ω·cm 之间（上限按谢嘉奎《电子线路》取值， 还有取其1/10 或10 倍的；因上角标暂不可用，暂用当前方法描述），温度升高时 电阻率则减小。半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体 两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物 （砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、 铁、铜的氧化物), 以及由Ⅲ- Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、 镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。 二、半导体的一般特性： （1） 高纯半导体的电阻率随温度上升而下降，即具有负的温度系数。 （2 ） 导电性能随外界影响而显著变化。（a)用光照或高能粒子辐照半导体，可使 其电阻率下降；（b)半导体中含有杂质（外来原子）时，其导电性能在很大 程度上取决于杂质的类型及浓度。 （3 ） 具有比金属强得多的霍耳效应及温差电效应。而且，半导体的霍耳系数可 为正、负或零（金属的霍耳系数为负）。金属的温差电动势率一般在几个微 伏/度的数量级，个别的可达几十个微伏/度。半导体的温差电动势率一般在 几百微伏/度的数量级。 三、半导体材料的分类； 半导体材料按化学成分和内部结构，大 致可分为以下几类。 1.元素半导体 有锗、硅、硒、硼、碲、锑等。50 年代，锗在半导 体中占主导地位，但 锗 半导体器件的耐高温和抗辐射性能较差，到 60 年代后期逐渐 被硅材料取代。用 硅制造的半导体器件，耐高温和抗辐射性能较好，特别适宜制作大 功率器件。因 此，硅已成为应用最多的一种增导体材料，目前的集成电路大多数是用 硅材料制 造的。 2.化合物半导体 由两种或两种以上的元素化合而成的半导体材料。它 的种类很多，重要的有 砷化镓、磷化锢、锑化锢、碳化硅、硫化镉及镓砷硅等。其中 砷化镓是制造微波 器件和集成电的重要材料。碳化硅由于其抗辐射能力强、耐高温和 化学稳定性好， 在航天技术领域有着广泛的应用。 3.无定形半导体材料 用作半导体 的玻璃是一种非晶体无定形半导体材料，分为氧化物玻璃和非氧 化物玻璃两种。这类 材料具有良好的开关和记忆特性和很强的抗辐射能力，主要 用来制造阈值开关、记忆 开关和固体显示器件。 4.有机半导体材料 已知的有机半导体材料有几十种，包括萘、 蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香 族化合物等，目前尚未得到应用 。 四、半导体的发展史： 1833 年，英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般 金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的 电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。 不久，1839 年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下 会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的 第二个特征。 在 1874 年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关， 即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性 反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特 性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。 1873 年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这 是半导体又一个特有的性质。 半导体的这四个效应，(jianxia 霍尔效应的余绩── 四个伴生效应的