应用於3.1-10.6GHz高增益低电压超宽频之低杂讯-建国科技大学.PDF

應用於 3.1-10.6GHz高增益低電壓超寬頻之低雜訊放 大器設計 李顯億 蔡秉憲* 林國緯 建國科技大學 建國科技大學 建國科技大學 電子工程系 電子工程系 電子工程系 yih@.tw gesnh003@ baseball_922@.tw 摘要 power consumption is 7.79 mW. 本論文研究應用於3.1~10.6 GHz高增益 Keywords: CMOS 、Ultra Wide Band 、Low Noise 低電壓超寬頻(Ultra-Wide Band ,UWB)之低雜 Amplifier . 訊放 大器(Low-Noise Amplifier ,LNA)設計 ，以 無線通訊技術趨勢為消耗功率低、成本低、增 1.前言 益高、積體性高等，第一級架構使用電感式源 目前隨著 無線通訊系統迅速的 攀升 ，因此 極退化(Common-gate電路) 的架構求得較佳的 不同的技術 需求越來越高更 不斷地被運用在 隔離度 ，第二級架構使用疊接式 (Cascode)加上 現實 生活中， 其中無線通訊的射頻電路的應 電阻回授式電路提高功率增 益，第三級架構使 用 ，如 Zigbee 、Wireless LNA 、Bluetooth 、 用電容器之高通濾波器求得較佳輸出反射係 WiMAX(Worldwide Interoperability for 數 ，此整體電路利用台積電0.18μm CMOS 製 Microwave Access) 等相關技術，這些技術各有 程 參數 進行模擬結果，與安捷倫Advanced 許多優缺點 ，超寬頻技術與現代的無線傳輸比 Design System (ADS)模擬軟體 ，模擬之結果提 較，顯然有優勢的存在。 美國聯邦通訊委員會 供電壓為 1 V ，功率消耗為7.79 mW可得最大 (Federal Communication Commission ,FCC)於 功率增 益為 17.399 dB 、、雜訊指數可得最低為 2002 年二月二十四日 正式立法通過超寬頻技 2.9 15 dB 。 術 ，准許超寬頻(Ultra-wideband ,UWB)技術使 用於商業化的用途， 並開放7500 MGHz的工 作頻帶 3.1~10.6 GHz給予超寬頻技術使用 ，其 關鍵詞 ：CMOS 、超寬頻 、低雜訊放大器。 發射功率頻譜密度位於-41.25 dBm/Mbps ，以防 止外在雜訊干擾到其他通訊系統 ，如圖一所 Abstract 示。 This thesis is applied to 3.1-10.6 GHz high gain low voltage ultra wideband low noise amplifier design. Trends in wireless communication technology, with low power consumption, low cost, high gain, the integrated nature of hi