第2章变频器电力电子器件.pptVIP

IGBT的驱动原理与电力MOSFET基本相同，它是一种场控器件。其开通和关断是由栅极和发射极间的电压UGE控制的，当UGE为正且大于开启电压UT时，功率MOSFET内形成导电沟道，其漏源电流作为内部GTR的基极电流，从而使IGBT导通。此时从P+注入N-区的空穴对N?-区进行电导调制，减小了N-区的电阻RN，使IGBT获得低导通压降。当栅极与发射极间不加信号或施加反向电压时，功率MOSFET内的导电沟道消失，GTR的基极电流被切断，IGBT随即关断。 2.6.2 IGBT的基本特性 1．静态特性。 1) 转移特性 用来描述IGBT集电极电流iC与栅-射电压UGE之间的关系，如图2.18(a)所示。 2) 输出特性，如图2.18(b)。描述以栅-射电压为参变量时，集电极电流iC与集-射极间电压UCE之间的关系。 图2.18 IGBT的静态特性 2．动态特性 IGBT的动态特性包括开通过程和关断过程，如图2.19所示。 图2.19 IGBT的开通与关断过程 1)开通过程 IGBT的开通过程与功率MOSFET的开通过程相类似。 2) 关断过程 欲使IGBT关断时，给栅极施加反向脉冲电压-UGM 。 2.6.3 IGBT的主要参数 集-射极额定电压UCES；（2）栅-射极额定电压UGES； 栅-射极开启电压UGE(th)；（4）集电极额定电流IC； (5)集-射极饱和电压UCEO。 2.6.4 IGBT的驱动电路 1.IGBT对栅极驱动电路的特殊要求 2.IGBT栅极驱动电路应满足的条件 栅极驱动条件与IGBT的特性密切相关。设计栅极驱动 电路时，应特别注意开通特性、负载短路能力和引起的 误触发等问题。栅极串联电阻、栅极驱动电压的上升率 、下降率对IGBT的开通和关断过程有较大的影响。 2.7 集成门极换流晶闸管 集成门极换流晶闸管(Integrated Gate Commutated Thysristor，IGCT)是1996年问世的一种新型半导体开关器件。 2.7.1 IGCT的结构 IGCT是将门极驱动电路与门极换流晶闸管(GCT)集成为一个整体形成的。门极换流晶闸管(GCT)是基于GTO晶闸管结构的一种新型电力半导体器件，它不仅有与GTO晶闸管相同的高阻断能力和低通态压降，而且有与IGBT相同的开关性能，即它是GTO晶闸管和IGBT相互取长补短的结果，是一种较理想的兆瓦级、中压开关器件，非常适合用于6kV和10kV的中压开关电路。图2.20所示为IGCT的原理框图和电路符号。 图2.20 IGCT原理框图和电路符号 IGCT和GTO晶闸管相比，IGCT的关断时间降低了30%，功耗降低了40%。IGCT不需要吸收电路，IGCT在使用时只需将它连接到一个20V电源和一根光纤上就可以控制它的导通和关断。 2.7.2 IGCT的特点 IGCT具有快速开关功能、具有导电损耗低的特点，在各种高电压、大电流应用领域中的可靠性更高。IGCT装置中的所有元件装在紧凑的单元中，降低了成本。IGCT采用电压源型逆变器，与其他类型变频器的拓扑结构相比，结构更简单，效率更高。 优化的技术只需更少的器件，相同电压等级的变频器采用IGCT的数量只需低压IGBT的1/5。并且，由于IGCT损耗很小，所需的冷却装置较小，因而内在的可靠性更高。更少的器件还意味着更小的体积。因此，使用IGCT的变频器比使用IGBT的变频器简洁、可靠性高。 尽管IGCT变频器不需要限制的缓冲电路，但是IGCT本身不能控制 du/dt(这是IGCT的主要缺点)，所以为了限制短路电流上升率，在实际电路中常串入适当电抗。 2.8 MOS控制晶闸管 MOS控制晶闸管(MOS Controlled Thyristor，MCT)是一种单极型和双极型结合而形成的复合器件，输入侧为MOSFET结构，因而输入阻抗高，驱动功率小，工作频率高；而输出侧为晶闸管结构，能够承受高电压，通过大电流，这是一种很有发展前途的器件。 2.8.1 MCT的结构与工作原理 MCT是在晶闸管结构基础上又制作了两只MOSFET，其中用于控制MCT导通的那只MOSFET称为开通场效应晶体管(ON-FET)，用于控制阻断的那只MOSFET称为关断场效应晶体管(OFF-FET)。根据开通场效应晶体管的沟道类型不同，可分为P-MCT和N-MCT两种。 图2.21为P-MCT一个单细胞的等效电路及图形符号。 2.8.2 MCT的主要参数 (1) 断态重复峰值电压UDRM。是MCT的阳极和阴极之间的最大允许电压。 (2) 反向重复峰值电压URRM。是MCT的阴极和阳极之