推荐国家技术发明奖项目公示项目名称超高纯铝制备技术与装备推荐.PDFVIP

推荐国家技术发明奖项目公示 项目名称 超高纯铝制备技术与装备 推荐单位 教育部 推荐单位意见： 我单位认真审阅了该项目推荐书及附件材料，确认全部材料真实有效，相关栏目 均符合国家科学技术奖励工作办公室的填写要求。 该项目在提高偏析法痕量杂质去除效率、偏析法制备精铝技术与装备、熔体反应 法高效去除杂质元素等方面突破了多项关键技术，取得了如下发明： 1.超高纯铝高效提纯方法与装备 发明了外场作用下同轴双线圈双区加热方法和控制晶体形态、减少晶界体积分数 的提纯方法，制备出国内首块纯度超过 5N5 的超高纯铝锭。 2. 熔体处理法+偏析法双联精铝制备新工艺 发明了通过调整硅、铁元素的含量改变钒的分配系数，研发了独特的熔体处理法+ 偏析法双联工艺，突破了偏析法提纯技术的固有缺陷限制。 3.熔剂反应法杂质元素去除技术 发明了可以去除铁、硅、镓、钛等杂质元素的反应熔剂，通过熔剂反应法达到了 高效去除杂质元素的目的。 共获授权国家发明专利 15 项，发表相关论文 23 篇。经鉴定认为，技术水平达到 了国际先进。整套技术在南通泰德电子材料科技有限公司得到应用，成功制备出国内 首块 5N5 超高纯铝锭，产品通过了国际著名靶材制造商 TOSOH 公司采购评估，在多 家公司得到使用。近三年新增产值 1.52 亿元，利润 0.43 亿元。本项目对提升我国半导 体集成电路产业关键材料制备水平，提高国防用超高纯铝原料自我保障能力，具有重 要意义。 对照国家技术发明奖授奖条件，推荐该项目申报2015 年度国家技术发明奖一等奖。 项目简介： 超高纯铝是半导体集成电路和太阳能电池等工业用关键材料，是航空器导航陀螺 仪磁屏蔽罩、军用雷达组件等国防重要装备制造的重要原料。超高纯铝制备技术一直 被国外公司垄断，我国年需求超过5000吨的超高纯铝全部依赖进口，迫切需要研发具 有自主知识产权的超高纯铝制备技术。国内长期持续尝试制备超高纯铝，但始终无法 达到国际标准的要求。如何大幅度提高偏析法对精铝中痕量杂质的去除效率，是解决 超高纯铝制备的关键问题，如何用偏析法取代高能耗、高污染的三层液电解法是提升 全球超高纯铝制备技术的核心问题。 本项目团队在863、973及国家自然科学基金等项目支持下，历经十余年的持续攻 关，在提高偏析法痕量杂质去除效率、偏析法制备精铝技术与装备、熔体处理法高效 去除高含量杂质元素等方面突破了多项关键技术，取得如下发明： 1.超高纯铝高效提纯方法与装备 发明了外场作用下同轴双线圈双区加热方法和控制平界面胞状晶生长、促进晶粒 合并长大、减少晶界体积分数的提纯方法，实现了直径为 150mm 的大直径超高纯铝定 向凝固过程中轴向高梯度、径向均衡分布的温度场控制，通过控制生长速度保证了大 直径锭以平界面胞状晶方式生长，将杂质元素综合去除效率提高到75%，制备出了国内 首块5N5和6N的超高纯铝锭。 2. 熔体处理法+偏析法双联精铝制备新工艺 发明了通过调整硅、铁元素的含量改变钒的分配系数，进而通过偏析法去除的方 法，研发了独特的熔体处理法+偏析法双联工艺，从技术上彻底取代了三层液电解法， 建立了超高纯铝提纯的低能耗、低污染工艺路线；发明了精铝提纯用铁坩埚复合防护 涂层，设计了侧壁冷却结合顶部加热的凝固控制新工艺。综合上述技术成功制备出满 足超高纯铝制备原料标准的精铝。 3. 熔剂反应法杂质元素去除技术 发明了可以去除铁、硅、镓、钛等杂质元素的反应熔剂，通过熔剂反应法去除高 含量的杂质元素；发明了涂覆活性熔剂的陶瓷过滤器和铝熔体净化系统，将反应生成 的富含杂质元素的固相反应物和气相反应物有效去除，达到了高效去除杂质元素的目 的。 本项目共获授权国家发明专利15项，实用新型专利5项和软件著作权登记1项， 国内外发表相关高水平论文23篇。 经中国有色金属工业协会鉴定认为，超高纯铝制备技术与装备，达到了国际先进 水平。整套技术在南通泰德电子材料科技有限公司得到应用，成功制备出国内首块5N5、 6N 超高纯铝锭，生产的产品通过了国际著名靶材制造商 TOSOH 公司采购评估，并在国 内多家公司得到使用。近三年新增产值 1.52 亿元，利润 0.43 亿元。本项目对提升我 国半导体集成电路产业关键材料制备水平，提高国防用超高纯铝原料自我保障能力， 具有重要意义。 客观评价： 1.