掺氧氮化硅发光二极管的发光特性研究-激光与红外.PDFVIP

第 卷 第 期 激 光 与 红 外 年 月 光电材料与器件 文章编号 掺氧氮化硅发光二极管的发光特性研究 黄 锐 王旦清 王 祥 陈坤基 韩山师范学院物理与电子工程系广东 潮州 南京大学物理学院江苏 南京 摘 要 采用等离子体增强化学气相沉积方法低温制备非晶氮化硅薄膜 在低温下以氧气为气 源 等离子体氧化非晶氮化硅薄膜 以这层薄作为有源层制备电致发光器件 实验结果表明以 此方法制备的器件在正向偏置电压下可观测到强烈的黄绿光 发光峰位于 而且电致 发光开启电压低 仅为 功耗小 光致发光谱和电致发光谱测量表明发光来自同一种发光 中心即与相关的发光中心 关键词 氮化硅 电致发光 光致发光 中图分类号文献标识码 引言 大的进步但是其电致发光的进展却相当缓慢目前 半导体硅材料在微电子集成领域有着不可代替 存在的主要问题是发光效率低稳定性差 这主要 的地位现代微电子工艺的飞速发展都是以硅材料 源于二氧化硅高的势垒 不利于载流子的 为基础 若能实现硅基的单片光电集成用光波代 注入 替电子作为信息载体则可极大地提高信息的传输 近年来硅基氮化物由于高效率的光致发光可 速度和处理能力 因此研究高效发光的硅基发光材 调制的发射光波长和较低的势垒而备受广泛关注 料 发展硅基发光器件 实现全硅光电子集成具有重 年 等在镶嵌硅量子点的氮化硅系统中 要的意义 在硅基发光材料的研究当中低维的硅 通过改变量子点大小调控材料的发光波长