第06回随堂讲义.DOC

第 6 回　4-1~4-2 第1部分　重點整理 1. 電晶體是一種由　三層　半導體所構成的元件，具有三個端點且能產生放大作用。 2. 電晶體是一種　電流　控制元件，其內部的傳導電流是由　電子　和　電洞　所構成，一般稱為雙極性接面電晶體，簡稱為　BJT　。 3. 編號與名稱 (1) 美系 名稱 開頭 範　例 二極體 1N 範例：1N4148、1N60 電晶體 　2N　 範例：2N3569、2N3055 (2) 日系JIS 數字／符號 意　　　義 第一項：0-3 0：光電晶體、光二極體 1：二極體 2：　電晶體　 3：四極體 第二項：S S：　半導體　 第三項：英文字母 A PNP高頻 B PNP低頻 C NPN高頻 D NPN低頻 F SCR G PUT J P通道JFET K N通道JFET M TRIAC H UJT 4. 電晶體依材料結構的不同，可分為　NPN　及　PNP　二種型式，且NPN型內部電流大多是　電子流　，PNP型內部電流大多是　電洞流　，如圖1。 　　　 ▲ 圖1 5. NPN型電晶體：射極端的箭頭　朝外　。 (1) 多數載子：　電子　。 (2) 少數載子：　電洞　。 6. PNP型電晶體：射極端的箭頭　朝內　。 (1) 多數載子：　電洞　。 (2) 少數載子：　電子　。 7. 電晶體內部三層半導體所連接的電極，可分為下列三種。 (1) 　射極　E：發射多數載子的接腳（NPN：發射　電子　，PNP：發射　電洞　）。 (2) 　基極　B：控制發射多數載子流向集極載子量的接腳。 (3) 　集極　C：收集多數載子的接腳（NPN：收集　電子　，PNP：收集　電洞　）。 8. 電晶體元件製作時，若摻入雜質的濃度　愈高　，則半導體內部多數載子的數量愈多，其　導電　性愈佳。 9. 電晶體元件製作時，其內部各層摻入雜質的濃度比為　E　　B　＞　C　。 10. 電晶體元件內部各層製造寬度比為　　　≧　　　＞　　　，其中集極C略大於射極E，且　基極　寬度WB愈薄，放大率　愈大　。 11. 電晶體元件製作時，基極寬度很窄，約全長的。 12. 電晶體元件內部的基極寬度WB愈窄，擴散電流愈容易到達集極C，可提高放大率，但WB太窄，會影響　高頻　工作，電晶體容易被電壓打穿。 13. 電晶體元件由於內部射極E與集極C的　面積　與　雜質　濃度均不相同，因此射極E與集極C不可對調使用，否則電晶體本身的　增益　與　耐壓　會降低。 14. 兩個背對背的　二極體　組合，由於不具放大特性，因此無法取代電晶體。 15. 電晶體元件若將集極C開路，則電晶體可視為　二極體　。 16. 電晶體內部有二個PN接面，其中射極E與基極B的PN接面稱為　射極　接面JE，而集極C與基極B的PN接面稱為　集極　接面JC。 17. 一般電晶體正常工作時，多數導電載子來自　射極　，且偏壓主要工作於　作用　區（射極接面JE：　順向　偏壓，集極接面JC：　逆向　偏壓）。 18. 電晶體應用於放大電路時，電晶體偏壓工作於　作用　區。 19. 電晶體應用於開關電路時，電晶體偏壓工作於　飽和　區和　截止　區。 20. 電晶體在截止區工作時，電晶體狀態相當於　開路　。 21. 電晶體在飽和區工作時，電晶體狀態相當於　短路　。 22. 電晶體的工作原理 (1) 作用區：射極接面JE：　順向　偏壓，集極接面JC：　逆向　偏壓，如圖2。 (2) 飽和區：射極接面JE：　順向　偏壓，集極接面JC：　順向　偏壓，如圖3。 (3) 截止區：射極接面JE：　逆向　偏壓，集極接面JC：　逆向　偏壓，如圖4。 　　 ▲ 圖2 ▲ 圖3 ▲ 圖4 23. 電晶體工作於作用區時，射極接面JE為　順向　偏壓，集極接面JC為　逆向　偏壓，且接合面空乏區寬度大小為　集極　接面WCB＞　射極　接面WEB。 24. 電流特性 (1) 射極電流IE＝　集極　電流IC＋　基極　電流IB (2) 集極電流IC＝IC（多數載子）＋ICO（少數載子） (3) 集極電流IC約占　射極　電流IE的90～99.8％。 (4) 基極電流IB約占　射極　電流IE的0.2～10％。 (5) 電晶體電流符號以流入電晶體為正，流出電晶體為負。 　NPN　型：IB＝＋，IC＝＋，IE＝－ 　PNP　型：IB＝－，IC＝－，IE＝＋ 25. 電流放大率 (1) α＝（集極電流IC與射極電流IE比值） (2) β＝（集極電流IC與基極電流IB比值） 26. α與β關係 (1) α＝＝ (2) β＝＝ ＊一般為獲得較大β值而設計的雙極性接面電晶體，其內部集極C、基極B與射極E在製作時，會以何種濃度大小關係來摻雜？　(A)E＞B＞C