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大功率SiC MOSFET驱动电路设计 彭咏龙，李荣荣，李亚斌 （华北电力大学 电气与电子工程学院，河北 保定071003） 摘要：在实际工程应用的基础上，针对50kW/1MHz的高频感应加热大功率SiC MOSFET电路要求及SiC MOSFET开关特性进行开发研究。通过对SiC MOSFET的开通过程特性进行详细研究，得出使其可靠、安全驱动的要求，在现有已经成熟应用的Si MOSFET驱动电路基础上对其进行改进，研究适合工作在兆赫范围内的SiC MOSFET驱动电路。并采用双脉冲实验验证所设计驱动电路的基本特性及确定最佳门极电阻参数。 关键词：SiC MOSFET；开关特性；驱动电路；双脉冲实验 中图分类号：TM3 文献标识码： 文章编号：1001－1390（2015）－0000－00 esign of high power SiC MOSFET driver circuit Peng Yonglong, Li Rong-rong, Li Yabin (School of Electrical and Electronic Engineering, North China Electric Power University, Baoding 071003, Hebei, China) Abstract: On the basis of project appli