负偏压对磁控溅射犜犻膜沉积速率和表面形貌的影响-强激光与粒子束.PDF

第 卷 第 期 强 激 光 与 粒 子 束 ， ２０ ３ Ｖｏｌ．２０Ｎｏ．３ 　 　 　 年 月 ， ２００８ ３ ＨＩＧＨ ＰＯＷＥＲＬＡＳＥＲＡＮＤＰＡＲＴＩＣＬＥＢＥＡＭＳ Ｍａｒ．２００８ 　 　 文章编号： （ ） １００１４３２２２００８０３０５０５０４ 　 负偏压对磁控溅射 膜沉积速率和表面形貌的影响 犜犻 ，， １２３ ２ ２ ２ ２ １ 段玲珑 ， 吴卫东 ， 何智兵 ， 许 华 ， 唐永建 ， 徐金城 　 　 　 　 　 　 （ 兰州大学 物理科学与技术学院 材料物理与化学实验室，兰州 ； １． ７３００００ ２．中国工程物理研究院 激光聚变研究中心，四川 绵阳 ６２１９００； ３．中国工程物理研究院 科技信息中心，四川 绵阳 ６２１９００） 摘 要： 采用直流磁控溅射加负偏压的方法制备了 膜，研究了不同偏压条件对 膜沉积速率、密度、 Ｔｉ Ｔｉ 　　 　 　 生长方式及表面形貌的影响。随着偏压逐渐增大， 膜沉积速率分三个阶段变化： 之间沉积速率基 Ｔｉ ０ －４０Ｖ ～ 本不变； 之间沉积速率迅速降低；超过 后沉积速率随偏压的下降速度又放缓。 膜密度 －４０ －８０Ｖ －８０Ｖ Ｔｉ ～ 随偏压增加而增大，负偏压为 时开始饱和并趋于块体 材密度。加负偏压能够抑制 膜的柱状 －１１９．１Ｖ Ｔｉ Ｔｉ 生长方式；偏压可以改善 膜的表面形貌，对于 和 的溅射功率，负偏压分别在 和 Ｔｉ ４０Ｗ １００Ｗ －１００Ｖ －８０Ｖ 左右时制备出表面光洁性能较佳的 膜。 Ｔｉ 关键词： 薄膜； 磁控溅射； 负偏压； 沉积速率； 表面形貌 Ｔｉ 　　 　 　 　 　 　 中图分类号： Ｏ４８４ 文献标识码： Ａ