野崎·内田.PDFVIP

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野崎·内田

http://www.w3-4f5f.ee.uec.ac.jp/ 该研究室开发在紫外光的照射下,在更低温的环境中 研究课题 化合物半导体材料〃器件与半导体纳米棒的 氧化堆积的硅氧化膜的UV 氧化法,在作为下一代电子学 野 制作、应用 而备受关注的柔性基板上的IC 制作所需的栅氧化膜的低 温制作以及 GaN、SiC 等高品位栅氧化膜制作比较困难 崎 纳米技术,化合物半导体,LSI 工艺,MOVPE, 的半导体材料中,他们成功地制作出了栅氧化膜。目前他 · 关键词 LED,HBT (异质结双极型晶体管),氧化物半导 们采用UV 氧化法,用印刷技术来开发将堆积的各种金属 进行低温氧化,在软性基板上制作氧化物半导体集成电路 体,DLTS 的印刷〃软性电子学的基础技术。 半导体纳米棒的制作及应用 内 野崎 眞次 所属专业 研究生院信息理工学研究科 先进理工学专业 半导体纳米棒的制作及应用 Shinji NOZAKI 研究成员 野崎 真次 教授,内田 和男 副教授 该研究室通过化学合成来制作NiO、ZnO 的纳米棒。 田 所属学会 American Physical Society, Materials Research Society, 他们开发仅在指定的位置制作ZnO 纳米棒的选择性生长 用于光刻实验的 100 级无尘室 Electrochemical Society, IEEE,应用物理学会 技术等,还有将P 型NiO 和N 型ZnO 纳米棒层积在一 研究设备 制作化合物半导体器件用的MOCVD (有机金属气相外延装置),半导 起的PN 接合的紫外光LED 和探测器。 研 体工艺用的 10000 级及 100 级无尘室,各种半导体器件工艺装置, 究 傅里叶变换红外光谱仪 (FTIR),透过〃吸收测量,拉曼光谱,光致发 优 势 拥有不逊于企业的设备和风险企业 室 光,器件的电气测量(I-V、C-V) ,LED 评价装置,SPM (AFM/STM) , 拥有不逊于企业的设备和风险企业 DLTS 野崎教授和内田副教授在美国的研究生院和企业拥

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