金氧半电晶体（MOSFET）.PPT

金氧半二極體、電晶體及其電性討論 MOSFET 為一四端元件，。 由一個MOS二極體與兩個相鄰的pn接面所構成。 為積體電路中最重要的電路元件，因為比起相同功能的BJT（雙極性電晶體）： 面積小，可增加積體電路密度。 製程步驟較少，製造成本較低。 製成CMOS (NMOS + PMOS)，功率消耗更低。 6.1 MOS二極體 為MOSFET的核心部分：由上往下之材料分別為金屬、氧化層及半導體。 6.1.1 The Ideal MOS Diode理想的MOS二極體定義： 在沒有外加偏壓時（即熱平衡狀態），金屬功函數q?m和半導體功函數q?s的能量差為零，即功函數差q?ms等於零。 其中q?B:為費米能階EF和本質費米能階Ei的能量差 qχ:半導體電子親和力 換句話說，當無外加偏壓，能帶是平的（稱為平帶狀態flat band condition)。 理想的MOS二極體能帶圖 理想的MOS二極體定義（續） 於任意偏壓下，二極體裡的電荷只有半導體電荷和靠近氧化層的金屬表面電荷兩種，二者的電量相同但極性相反。 在DC偏壓下，沒有載子流過氧化層，即氧化層的電阻是無限大。 綜合以上所述，可知理想的MOS二極體相當於一個平行板電容器的特性 非平衡狀態下之能帶圖（p型） 當偏壓不為零時，能帶圖兩側因下拉、上移會彎曲。 半導體的載子密度和能量差呈指數關係,如下式 能帶圖彎曲使EF與Ei的差改變，形成以下之情形： 聚積(accumulation): V 0 空乏(depletion): V 0 反轉(inversion): V 0 非平衡狀態下之能帶圖（p型） 非平衡狀態下之能帶圖（p型）（續） 非平衡狀態下之能帶圖（p型）（續） 非平衡狀態下之能帶圖（n型） 非平衡狀態下之能帶圖（p型） Ψs〈0：電洞聚積 Ψs＝0：平帶狀況 ΨB〉Ψs〉0：電洞空乏 Ψs = ΨB：ns = np = ni Ψs〉ΨB：反轉 Ψs〉2ΨB：強反轉 空乏區寬度 在空乏與反轉狀態下都有空乏區。 同n+p接面之電荷、電場、電位分析，可知 當強反轉時，偏壓略有改變，電子濃度會大量增加（指數函數關係），故空乏區電荷的改變不大，可說此時空乏區寬度已達最大值。 空乏區寬度與摻雜濃度關係 理想MOS曲線 沒有功函數差時，外加偏壓跨在氧化層及半導體上。 理想MOS曲線（C-V圖） 理想MOS曲線（C-V圖） 空乏情形下，正偏壓加的越多，半導體空乏區寬度增加，同時金屬層表面感應之正電荷也增加。電壓跨在氧化層與空乏區上。 空乏情形下之CV圖 理想MOS曲線（C-V圖）（續） 理想MOS曲線（C-V圖）（低頻） 理想MOS曲線（C-V圖）（高頻） 高頻下的反轉情形，屬於少數載子的反轉電子無法及時反應，空乏區的寬度也無太明顯的變化，所以電容不會增加，維持在最低值。 理想MOS曲線（C-V圖）(n型半導體) 功函數差 氧化層電荷： 平帶電壓VFB（續） 當VG = VFB時，?s = 0，故可得： 氧化層所跨電位可以下分析得知： 平帶電壓VFB（續） 若氧化層中之電荷為任意分佈（一般情形），平帶電壓可表示為： 再考慮功函數差，並忽略界面陷阱電荷，平帶電壓會變為： 氧化層電荷對CV圖的影響 其中平帶電壓狀態介於聚積狀態與空乏狀態之間： 由平帶電壓公式可知：(Qo包括Qf、 Qot 、 Qm) 氧化層電荷對CV圖的影響（續） 由平帶電壓的分析可知，當氧化層電荷為正時，CV圖會往左平移，且電荷越多，平移量越多；當氧化層電荷為負時，CV圖會往右平移。 界面電荷對CV圖的影響 表面週期性終止，有懸鍵產生，在禁制能帶會形成界面態階。 電荷可在半導體與界面態階之間流動，隨著偏壓之改變，界面態階與費米能階的相關位置不同，界面的淨電荷也會改變。 界面電荷對CV圖的影響（續） 界面電荷對CV圖的影響（續） 以p型半導體為例： 界面電荷對CV圖的影響（續） 氧化層電荷與界面電荷影響之比較 6.1.3 電荷耦合元件（CCD） 6.2 MOS的基本原理 基本的 MOSFET結構 6.2.1 基本特性 VG VT，源極到汲極間好似二個背對背的pn接面，加一汲極電壓，只有微弱的逆向漏電流。 VG VT，半導體表面產生反轉電子，只要加一點汲極電壓，可使電子由源極流向汲極，產生通道電流ID。 理想狀況下，閘極電壓只控制反轉電子的多寡，不會使電子通過氧化層至閘極端。 線性區 飽和區（Saturation region） 當VDS漸增，靠近汲極附近的氧化層所跨的電壓減少，產生反轉電荷的能帶彎曲減少，故反轉電子減少，ID-VDS圖的斜率漸減。 當汲極電壓增加至使跨於汲極端氧化層電壓恰等於VT，此時反轉電子密度為