项目4-任务2-场效应管1-重庆市永川职业教育中心.DOCVIP

重庆市永川职业教育中心教案专用笺（电子版） 教学课题 开关变压器振荡电路的制作uGS的大小来控制漏极电流iD的大小，利用电压来控制电流的大小。 具有输入电阻高（100000000～1000000000Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者. （二）场效应管的引脚 D（Drain） 称为漏极，相当于三极管的集电极； G（Gate） 称为栅极，相当于三极管的基极； S（Source） 称为源极，相当于三极管的发射极。 （三）场效应管种类 耗尽型：场效应管没加偏置电压时，就有导电沟道存在。 增强型：场效应管没加偏置电压时，没有导电沟道。 （四）结型场效应管 N沟道结型场效应管，当UGS0V时，D与S导电能力最强，阻值最小如图4－1。当UGS0V时，D与S导电能力变弱当UGS0且达到一定值（夹断电压）时，D与S极断开如图4－1。 　 （五）耗尽型场效应管（Depletion）MOS或DMOS N沟道耗尽型效应管，当UGS≥0V时，D与S导电能力最强，阻值小如图4－。当UGS0V时，D与S导电能力变弱当UGS0且达到一定值（夹断电压）时，D与S极断开如图4－。 图4－ 图4－ （六）增强型MOSFET（Enhancement MOS） 图4－ N沟道增强型示意图和符号 图4－ P沟道增强型示意图和符号 N沟道增强型场效应管，当UGS0V时，D与S断开如图4－；当UGS0V时，D与S导电能力开始增强，阻值减小当UGS 0V达到一定值时，D与S导电能力很强，阻值非常小，只有几毫欧，相当于一根导线，如图4－。 图4－ 图4－ （七）场效应管的主要参数 （1）开启电压VT（增强型参数）·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3~6V;　　改进后为2~3V.　　 （2）夹断电压VP（耗尽型参数） （3）饱和漏电流IDSS（耗尽型参数） （4）直流输入电阻RGS（109Ω~1015Ω）　 2.极限参数　 （1）最大漏极电流IDM （2）最大耗散功率PDM （3）最大漏源电压V（RB）DS （4）最大栅源电压V（RB）GS 09N03LA主要参数：N沟，25V，50A，RDS（ON）Max=8.9mΩ。 （八）检测 2.万用表测量 结型场效应管 （1）将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。 （2）用万用表黑表笔接栅极，红表笔分别接触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，该管属于N沟道场效应管。否则为 P沟道场效应管。 常见的NMOS管内部结构如图3所示　　 （3）用红笔接源极S，黑笔接栅极G，对G-S之间的等效结电容进行充电，此时可以忽略万用表指针的轻微偏转，如图9所示。 （4）切换到R×1Ω挡，换挡后须及时对挡位进行调零。将红笔接到源极S，黑笔移到漏极D，此时MOS管的D-S极导通。根据MOS管类型的不同，万用表指针停留在十几欧姆至零点几欧姆不等的位置，如图10所示。 交换黑笔与红笔的位置，万用表所指示的电阻值基本不变，说明此时MOS管的D-S极已经导通。当前万用表所指示的电阻值近似为D-S极导通电阻RDS(on)。 注意：测量过程中，手不能接触任何两个引脚！ （九）使用 （十）注意事项 1．为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。 各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是ＰＮ结，Ｎ沟道管栅极不能加正偏压；Ｐ沟道管栅极不能加负偏压，等等。 MOS场效应管由于输人阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放人塑料盒子内，保存时最好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。 为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地；管脚在焊接时，先焊源极；在连入电路之前，管的全部引线端保持互相短接状态，焊接完后才把短接材料去掉；从元器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等；当然，如果能采用先进的气热型电烙铁，焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全；在未关断电源时，绝对不可以把管插人电路或从电路中