PN结特性和二极管.pptVIP

电气与信息学院 模拟电子技术——二极管及其基本电路 电子学教研室 PN 结(PN Junction)的形成 原因： 载流子的浓度差 名称：空间电荷区/耗尽层/PN结 特点: 无载流子 P N 3.2.3 PN结的特性 1. 外加正向电压(正向偏置) — forward bias P 区 N 区 内电场 + ? U R 外电场 外电场使多子向 PN 结移动, 中和部分离子使空间电荷区变窄。 IF 限流电阻 扩散运动加强形成正向电流 IF 。 IF = I多子 ? I少子 ? I多子 3.2.3 PN结的特性 2. 外加反向电压(反向偏置) — reverse bias P 区 N 区 内电场 外电场 IR 漂移运动加强形成反向电流 IR IR = I少子 ? 0 ? + U R PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。 3. PN结V- I 特性表达式 O uD /V iD /mA 正向特性 Uth 死区 电压 IS iD = 0 Uth = 0.5 V 0.1 V (硅管) (锗管) U ? Uth iD 急剧上升 0 ? U ? Uth IS ——反向饱和电流 VT ——温度的电压当量,且在常温（T=300K）为26mV UD(on)= 硅管 0.7 锗管 0.2 V 3. PN结V- I 特性表达式 O uD /V iD /mA 正向特性 Uth 反向特性 IS U (BR) 反向击穿 U(BR) ? U ? 0 iD = IS 0.1 ?A(硅) U U(BR) 反向电流急剧增大 (反向击穿) 反向击穿类型： 电击穿 热击穿 反向击穿原因： 齐纳击穿： (Zener) 反向电场太强，将电子强行拉出共价键。 (击穿电压 6 V) 雪崩击穿： 反向电场使电子加速，动能增大，撞击 使自由电子数突增。 — PN 结未损坏，断电即恢复。 — PN 结烧毁。 (击穿电压 6 V) 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 (1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 (a)点接触型 二极管的结构示意图 3.3.1 二极管的结构 (3) 平面型二极管 往往用于集成电路制造艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 (c)平面型 (4) 二极管的代表符号 3.3.2 二极管的特性 同PN结的伏安特性 1. IF — 最大整流电流(最大正向平均电流) 2. URM — 最高反向工作电压，为 U(BR) / 2 3. IR — 反向电流(越小单向导电性越好) 第 1 章　半导体二极管 iD uD U (BR) I F URM O 3.3.3 二极管的主要参数 练习题 1. 二极管最主要的特性是 。 2.二极管按其击穿的方式分为 和 两种。 3.当PN结外加正向电压时，扩散电流____漂移电流，耗尽层____。当PN结外加反向电压时，扩散电流____漂移电流，耗尽层____。 A、大于 B、小于 C、等于 D、变宽 E、变窄 F、不变 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A、 增大 B、 不变 C、减小 5.二极管加反向电压时若反向电流很小，则管子是____ 。 A、反向截止状态 B、反向击穿状态 C、短路状态 D、导通状态 6.设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是 。 A、 ISeU B、 C、 电气与信息学院 模拟电子技术——二极管及其基本电路 电子学教研室