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半导体特性的调制自由载流子吸收变距频率扫描方法研究!

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 @) ’ ’ ’ , , , S,/ ?@) R, ?’ P2912+724 ’ ( ) !CF’K’K@) ’ K%@%C% =L MNOPQ= PQRQ= !’ =I6: ? MIT8 ? P,5 ? 半导体特性的调制自由载流子吸收变距 频率扫描方法研究! )) ) 李 巍! # 李斌成! $ !)(中国科学院光束控制重点实验室,中国科学院光电技术研究所,成都 %!’ ) )(中国科学院研究生院,北京 !(’ ) ( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿) ) ! ! ’ ! * 根据调制自由载流子吸收( , )检测技术的三维理论模型,采用变间距频率扫 +,-./012- 3422 5044624 078,4916,: ;= 描方式测量单晶硅样品的电子输运参数,进行了仿真与实验,对结果进行了分析;通过多参数拟合,获取了测试样 品的载流子扩散系数、少数载流子寿命和前表面复合速度? 仿真与实验都表明,变间距频率扫描结合多参数拟合, 可以提高输运参数的测量精度? 关键词:调制自由载流子吸收,电子输运参数,变间距频率扫描,多参数拟合 : , , !## *)@A )!*= )!*A [— ] ( 数拟合同时确定 ,, 等参数 ,拟合结果精 ! ! ! [ ] !G 引 言 !( 度不高 ; 等采用在多个频率处做抽运光 探 HI0:J C [ , ] 测光相对位置的径向扫描曲线和多参数拟合!) !’ , 半导体电子输运参数(

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